[发明专利]一种PECVD制程腔离子源扩散板装置

说明书

所属技术领域

本发明属于一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，具体涉及镀膜沉积机制。 

背景技术

现有PECVD等离子体增强化学气象沉积设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，而薄膜沉积的有效面积及其内的沉积均匀度与等离子体面积有相当大的关系，一般为求基片面积大小内的薄膜沉积的均匀度能达到一定的效果，会制作相对于基片1~2倍大的电极板，以产生相当大且有效的等离子体范围用以沉积薄膜，此举不仅增加零件制作周期同时也增加制作上的成本。 

发明内容

综上所述，为了克服现有技术不足，本发明的主要目的在于提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置。 

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是： 

一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散，致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散，增加薄膜沉积的面积，勿需将极板扩大的情况下，有效地增大等离子体沉积面积，对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。综上所述本发明结构简单、制作方便。

附图说明

图1系为本发明结构示意图。 

主要组件符号说明 

11．．．沈积设备腔体

12．．．上电极板

13．．．下电极板

14．．．扩散板

15．．．抽气口

16．．．等离子体

具体实施方式

    下面结合附图对本发明做进一步说明。 

请参阅图1所示，一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，其包括沉积设备腔体11、上电极板12、下电极板13、扩散板14及抽气口15所组成，将扩散板14放置在下电极板13两侧，有效地将离子化的气体向两侧扩散并均匀地向抽气口15扩散，致使在两电极板中的等离子体16也可均匀地向两侧扩散，增加等离子体面积，同时也增加薄膜沉积的面积，勿需将极板扩大的情况下，有效地增大等离子体沉积面积，对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。 

        以上所述实例是对本发明技术方案的说明而非限制，所属技术领域普通技术人员的等同替换或者根据现有技术而做的修改，只要未超出本发明技术方案的思路和范围，均应包含在本发明的权力要求范围之内。