[发明专利]太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201210033457.3 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN103258889A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 赵露 | 申请(专利权)人: | 杜邦太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/036;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐华明 |
地址: | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
第一太阳能电池层,包括由一个或多个第一类型的太阳能电池串联而成的第一太阳能电池组;
第二太阳能电池层,包括由一个或多个第二类型的太阳能电池串联而成的第二太阳能电池组;
位于第一太阳能电池层与第二太阳能电池层之间的透明绝缘层,所述透明绝缘层内具有开口,所述开口填充有导电材料而将所述第一太阳能电池组与所述第二太阳能电池组并联连接;
其中,所述第一太阳能电池层的禁带宽度大于第二太阳能电池层的禁带宽度,且所述第一太阳能电池组两端的最大功率电压与第二太阳能电池组两端的最大功率电压相等。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述开口为通孔或沟渠。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一类型、第二类型的太阳能电池的光电转换层的材质均选自由非晶硅、微晶硅、单晶硅、多晶硅、非晶SiC、非晶SiN、非晶SiGe、非晶SiSn、GaAs、AlGaAs、InP、GaP、CIGS、CdTe、Cu2S、ZnTe、PbS、CIS、GaSb所组成的集合中的任意一种。
4.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一类型、第二类型的太阳能电池为非晶硅太阳能电池或微晶硅太阳能电池。
5.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一太阳能电池层及第二太阳能电池层的上下两侧均设置有透明导电层。
6.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一太阳能电池层的所述第一类型的太阳能电池为非晶硅太阳能电池,所述第二太阳能电池层的所述第二类型的太阳能电池为微晶硅太阳能电池,且入射光先射入所述第一太阳能电池层后,再射入所述第二类型的太阳能电池。
7.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成第一太阳能电池层,所述第一太阳能电池层包括由一个或多个第一类型的太阳能电池串联而成第一太阳能电池组;
在第一太阳能电池层上形成透明绝缘层,并在所述透明绝缘层内形成开口;
接着以导电材料在透明绝缘层上形成第二太阳能电池层之前电极,并以所述导电材料填充所述开口;
在第二太阳能电池层之前电极上形成第二太阳能电池层,所述第二太阳能电池层包括由一个或多个第二类型的太阳能电池串联而成的第二太阳能电池组,所述第一太阳能电池组通过所述透明绝缘层内的所述开口与所述第二太阳能电池组并联连接;
其中,所述第一太阳能电池层的禁带宽度大于第二太阳能电池层的禁带宽度,且所述第一太阳能电池组两端的最大功率电压与第二太阳能电池组两端的最大功率电压相等。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述开口为通孔或沟渠。
9.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一类型、第二类型的太阳能电池的光电转换层的材质均选自由非晶硅、微晶硅、单晶硅、多晶硅、非晶SiC、非晶SiN、非晶SiGe、非晶SiSn、GaAs、AlGaAs、InP、GaP、CIGS、CdTe、Cu2S、ZnTe、PbS、CIS、GaSb所组成的集合中的任意一种。
10.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一类型、第二类型的太阳能电池为非晶硅太阳能电池或微晶硅太阳能电池。
11.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一太阳能电池层及第二太阳能电池层的上下两侧均设置有透明导电层。
12.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述第一太阳能电池层的所述第一类型的太阳能电池为非晶硅太阳能电池,所述第二太阳能电池层的所述第二类型的太阳能电池为微晶硅太阳能电池,且入射光先射入所述第一太阳能电池层后,再射入所述第二类型的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的