[发明专利]具有双温度区的静电吸盘的衬底支架

权利要求书

1.一种在处理腔室中用于容纳衬底的衬底支架，所述衬底支架包括：

(a)静电吸盘，所述静电吸盘包括：

(i)包括衬底容纳表面和相对的背面、以及具有台阶的外围壁架的 陶瓷圆盘；

(ii)穿过所述陶瓷圆盘并且在所述衬底容纳表面上的端口处终止的 多个热传送气体导管；和

(iii)嵌入在所述陶瓷圆盘中的电极；

(b)底座，所述底座包括金属主体，所述金属主体具有顶表面，所述顶 表面包括吸盘容纳部分和外围部分，所述吸盘容纳部分容纳所述陶瓷圆盘的所 述背面，所述外围部分径向向外延伸超过所述陶瓷圆盘，所述吸盘容纳部分包 括跨过所述陶瓷圆盘的整个背面的外围凹槽；

(c)边缘环，所述边缘环设置在所述陶瓷圆盘的所述外围壁架的台阶上； 以及

(d)锁紧环，所述锁紧环固定到所述底座上的所述外围部分，所述锁紧 环具有径向向内延伸以放置在所述陶瓷圆盘的所述外围壁架上的唇缘。

2.根据权利要求1所述的支架，其中所述边缘环包括陶瓷。

3.根据权利要求2所述的支架，其中所述陶瓷包括石英。

4.根据权利要求1所述的支架，其中所述锁紧环包括铝或钛。

5.根据权利要求1所述的支架，其中所述锁紧环的唇缘包括下表面，所 述下表面包括聚合物层。

6.根据权利要求1所述的支架，其中所述陶瓷圆盘包括径向隔离并彼此 围绕同心设置的第一和第二加热线圈。

7.根据权利要求1所述的支架，其中所述陶瓷圆盘的背面包括多个台面。

8.根据权利要求7所述的支架，其中在所述底座的所述吸盘容纳部分上 的所述外围凹槽与所述陶瓷圆盘的所述背面的所述台面协作，以控制来自所述 陶瓷圆盘的热传输速率。

9.根据权利要求1所述的支架，其中所述底座的顶表面包括中心凹槽。

10.根据权利要求1所述的支架，其中所述底座包括用于向所述静电吸盘 的所述电极传导电功率的电接头组件。

11.一种用于静电吸盘的环组件，所述静电吸盘由衬底处理腔室中的底座 支撑，所述静电吸盘包括陶瓷圆盘，所述陶瓷圆盘具有包括第一和第二台阶的 外围壁架，以及所述底座包括顶表面，所述顶表面具有吸盘容纳部分和超过所 述吸盘延伸的外围部分，所述吸盘容纳部分包括跨过所述陶瓷圆盘的整个背面 的外围凹槽，所述环组件包括：

(a)能固定到所述底座的外围部分的锁紧环，所述锁紧环具有唇缘、顶 表面和外部侧表面，其中所述唇缘径向向内延伸以放置在所述陶瓷圆盘的外围 壁架的所述第一台阶上；以及

(b)边缘环，所述边缘环包括带、环形外墙以及凸缘，所述带具有放置 在所述锁紧环的所述顶表面上的基脚，所述环形外墙围绕所述锁紧环的所述外 部侧表面，所述凸缘覆盖所述陶瓷圆盘的所述外围壁架的所述第二台阶。

12.根据权利要求11所述的组件，其中所述边缘环包括陶瓷。

13.根据权利要求12所述的组件，其中所述陶瓷包括石英。

14.根据权利要求11所述的组件，其中所述锁紧环包括铝或钛。

15.根据权利要求11所述的组件，其中所述锁紧环的唇缘包括下表面， 所述下表面包括聚合物层。

16.根据权利要求15所述的组件，其中所述聚合物层包括聚酰亚胺。