[发明专利]MOM电容器及其制作方法

权利要求书

1.一种MOM电容器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括本体层；

位于所述本体层表面上的多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，每一金属化层具有多个相互平行的导电电极线，且每两个导电电极线之间填充有隔离电介质，以将同一金属化层上相互平行的导电电极线进行电隔离，各金属化层上的导电电极线的分布区域和隔离电介质的分布区域均相同；

位于所述导电电极线下方的介质层表面内的导电通道，以电连接被介质层间隔开的上下两层金属化层上的导电电极线，各层介质层表面内的导电通道的分布区域均相同；

其中，在该MOM电容器的俯视图上，所述导电通道贯穿与其对应的导电电极线的两端。

2.根据权利要求1所述的MOM电容器，其特征在于，所述导电通道的宽度小于或等于所述导电电极线的宽度。

3.根据权利要求2所述的MOM电容器，其特征在于，所述导电通道的宽度在0.18μm-0.24μm以内。

4.根据权利要求3所述的MOM电容器，其特征在于，所述导电通道内填充有金属钨。

5.根据权利要求4所述的MOM电容器，其特征在于，所述隔离电介质与所述介质层的材质相同。

6.一种MOM电容器制作方法，其特征在于，包括：

a)提供基底，所述基底包括本体层；

b)在所述本体层表面上形成一金属化层，该金属化层具有多个相互平行的导电电极线，且每两个导电电极线之间填充有隔离电介质，以将该金属化层上相互平行的导电电极线进行电隔离；

c)在所述金属化层表面上形成一介质层；

d)在位于所述导电电极线下方的介质层表面内形成导电通道，在俯视图上，该导电通道贯穿与其对应的导电电极线的两端；

e)多次重复步骤b)-步骤d)，并在最后一层具有导电通道的介质层上形成最后一金属化层，以在所述本体层上形成多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，各金属化层上的导电电极线的分布区域和隔离电介质的分布区域均相同，位于所述多个介质层表面内的多个导电通道用于电连接被介质层间隔开的上下两层金属化层上的导电电极线，且各介质层表面内的导电通道的分布区域均相同。

7.根据权利要求6所述的MOM电容器制作方法，其特征在于，步骤b)中，形成金属化层的过程具体为：

在所述本体层表面上形成一金属层；

采用光刻工艺，在所述金属层表面上形成具有隔离电介质区图形的光刻胶层；

以具有隔离电介质区图形的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀或湿法腐蚀工艺，去除未被光刻胶层覆盖的金属层材料，在所述金属层表面内形成隔离电介质区；

采用间隙填充工艺在所述隔离电介质区填充所述隔离电介质。

8.根据权利要求7所述的MOM电容器制作方法，其特征在于，所述间隙填充工艺具体为，采用高浓度等离子工艺交替淀积和刻蚀待填充的隔离电介质，所述隔离电介质区内填充的隔离电介质致密且空洞极少。

9.根据权利要求6所述的MOM电容器制作方法，其特征在于，步骤c)中，形成介质层的过程具体为：

采用等离子体增强化学气相淀积HDP工艺，在所述金属化层表面上淀积形成介质层；

采用化学机械研磨工艺研磨所述介质层表面，使所述介质层表面平坦。

10.根据权利要求6所述的MOM电容器制作方法，其特征在于，步骤d)中，形成导电通道的过程具体为：

采用光刻工艺，在所述介质层表面上形成具有所述导电通道图形的光刻胶层，该光刻工艺中采用的掩膜版上的导电通道图形的宽度小于所述导电通道的宽度；

以具有所述导电通道图形的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀或湿法腐蚀工艺去除未被光刻胶层覆盖的介质层材料，在所述介质层表面内形成导电通道图形；

在所述介质层表面内的导电通道图形内填充金属钨，形成所述导电通道。