[发明专利]清洁基板表面的方法和设备

权利要求书

1.一种处理半导体基板的方法，包括：

将基板放置在处理腔室的处理区域内；

将设置在所述处理腔室中的基板的表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第一含氧层；

自所述基板的至少一部分表面移除所述第一含氧层的至少一部分；以及

将所述基板的所述表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第二含氧层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一含氧层、移除所述第一含氧层的至少一部分以及形成所述第二含氧层全部是在所述处理腔室中执行。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

自所述基板的表面移除所述第二含氧层的至少一部分；以及

在所述基板的至少一部分表面上沉积外延层。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

自所述基板的表面移除所述第二含氧层的至少一部分，其中形成所述第一含氧层、移除所述第一含氧层的至少一部分、形成所述第二含氧层以及移除所述第二含氧层的至少一部分都是在将所述基板自所述处理腔室移除之前执行。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在将所述基板放置在所述处理区域之前，在设置在所述处理腔室的处理区域中的腔室部件的表面上形成集除层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述集除层包括选自由硅和锗所组成组的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体包括氧气。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体包括臭氧。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一含氧层或形成所述第二含氧层包括将所述基板暴露于紫外光。

10.一种处理半导体基板的方法，包括：

将基板放置在处理腔室的处理区域内；

将设置在所述处理腔室中的基板的表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第一含氧层；

自所述基板的至少一部分表面移除所述第一含氧层的至少一部分；以及

将所述基板的所述表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第二含氧层，其中形成所述第一含氧层、移除所述第一含氧层的至少一部分以及形成所述第二含氧层全部是在所述处理腔室中执行。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

自所述基板的表面移除所述第二含氧层的至少一部分；以及

在所述基板的至少一部分表面上沉积外延层。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在将所述基板放置在处理区域之前，在设置在所述处理腔室的处理区域中的腔室部件的表面上形成集除层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述含氧气体包括氧气。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述含氧气体包括臭氧。

15.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第一含氧层或形成所述第二含氧层包括将所述基板暴露于紫外光。

16.一种处理半导体基板的方法，包括：

将基板放置在处理腔室的处理区域内；

通过将设置在所述处理腔室的基板的表面暴露于含氧气体中以在所述基板上形成第一氧化层来氧化所述基板的表面；

自所述基板的至少一部分表面移除所述第一氧化层的至少一部分；以及

再氧化所述基板的表面以在所述基板的所述表面上形成第二氧化层，其中形成所述第一氧化层、移除所述第一氧化层的至少一部分以及再氧化所述表面全部是在所述处理腔室中执行。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一氧化层或形成所述第二氧化层包括将所述基板暴露于紫外光。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述含氧气体包括氧气。

19.权利要求17所述的方法，其中所述含氧气体包括臭氧。

20.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：

自所述基板的表面移除所述第二氧化层的至少一部分；以及

在所述基板的至少一部分表面上沉积外延层。