[发明专利]薄膜太阳能电池制造系统无效
申请号: | 201210032641.6 | 申请日: | 2012-02-13 |
公开(公告)号: | CN103022243A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 李适维;蔡耀仓;林明弘 | 申请(专利权)人: | 绿阳光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 系统 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的制造系统,其特征在于,所述制造系统包括:
炉腔;
托座,设置在所述炉腔内;
具有第一前置层的硬基板,所述第一前置层包括第一IB族与IIIA族;
具有第二前置层的可挠式基板,所述第二前置层包括第二IB族与IIIA族;
气体控制器,所述气体控制器用来通入反应气体至所述炉腔内;
以及
加热器,所述加热器用来提高所述炉腔内的温度,以使所述反应气体与所述第一前置层与所述第二前置层反应以形成黄铜矿结构。
2.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述制造系统进一步包括固定元件以固定所述硬基板与所述可挠性基板,所述固定元件包括:
主体,所述主体用来承载所述硬基板与所述可挠式基板;以及卡勾部,设置在所述主体的一个侧边,所述卡勾部用来止挡在所述硬基板与所述可挠式基板所形成的组合的一个端面,以防止所述硬基板与所述可挠式基板分离。
3.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述制造系统进一步包括固定元件以固定所述硬基板与所述可挠性基板,所述固定元件包括:
主体,所述主体用来承载所述硬基板与所述可挠式基板;以及两个卡勾部,分别设置在所述主体的两个侧边,所述两个卡勾部用来止挡在所述硬基板与所述可挠式基板所形成的组合的两个端面,以防止所述硬基板与所述可挠式基板分离。
4.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述硬基板与所述可挠式基板以各自底板相抵靠的方式固定而形成组合。
5.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述可挠式基板部分折曲以挂扣在所述硬基板而形成组合,并且所述托座用来承载所述组合。
6.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述第一IB族与所述第二IB族包括铜,及所述第一IIIA族与所述第二IIIA族包括铟、镓或其组合。
7.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述加热器用来将所述炉腔内的温度提高至400℃~550℃。
8.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述可挠性基板为金属箔片。
9.如权利要求1所述的制造系统,其特征在于,所述反应气体为硒化氢或硫化氢。
10.一种薄膜太阳能电池的制造系统,其特征在于,制造系统包括:
炉腔;
托座,设置在所述炉腔内;
支撑件;
两个具有前置层的可挠式金属基板,所述前置层包括IB族与IIIA族,并且所述多个可挠式金属基板分别以其底板抵靠在所述支撑件的两个端面而形成组合;
气体控制器,所述气体控制器用来通入反应气体至所述炉腔内:
以及
加热器,所述加热器用来提高所述炉腔内的温度,以使所述反应气体与所述前置层反应以形成黄铜矿结构。
11.如权利要求10所述的制造系统,其特征在于,所述制造系统进一步包括固定元件以固定所述多个可挠性基板,所述固定元件进一步包括:
主体,所述主体用来承载所述多个可挠式金属基板与所述支撑件;以及
两个卡勾部,分别设置在所述主体的两个侧边,所述两个卡勾部用来止挡在所述多个可挠式金属基板与所述支撑件所形
成的所述组合的两个端面,以防止所述多个可挠式金属基板分离。
12.如权利要求10所述的制造系统,其特征在于,所述可挠式金属基板部分折曲以挂扣在所述支撑件而形成所述组合,并且所述托座用来承载所述组合。
13.如权利要求10所述的制造系统,其特征在于,所述加热器用来将所述炉腔内的温度提高至400℃~550℃。
14.如权利要求10所述的制造系统,其特征在于,所述IB族包括铜,并且所述IIIA族包括铟、镓或其组合。
15.如权利要求10所述的制造系统,其特征在于,所述反应气体为硒化氢或硫化氢。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绿阳光电股份有限公司,未经绿阳光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210032641.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的