[发明专利]半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；

在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；

将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及

通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述片具有与所述半导体芯片的面积基本相等的面积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述片包含具有至少一个具有能够与所述易熔金属形成合金的金属的外表面的纤维状材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述片由纤维状金属材料制成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述片由能够与所述易熔金属形成合金的纤维状金属材料制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述片由纤维状金属材料制成，所述纤维状金属材料具有覆盖有能够与所述易熔金属形成合金的金属的外表面并且不与所述易熔金属反应。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述片由具有覆盖有金属的外表面的纤维状树脂材料制成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述片由具有覆盖有金属的外表面的纤维状玻璃材料制成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含易熔金属的接合层是包含片状易熔金属的层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含易熔金属的接合层是包含膏状易熔金属的层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含易熔金属的接合层是包含导热粘合剂的层，所述导热粘合剂包含易熔金属和树脂。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括用超声波将所述片暂时接合到所述半导体芯片安装区域。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述片上方形成所述包含片状易熔金属的层；以及

用超声波将所述片和所述包含片状易熔金属的层暂时接合到所述半导体芯片安装区域。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述包含易熔金属的接合层是包含片状易熔金属的层时用熔剂浸渍所述片。

15.一种半导体器件，包括：

基板；

置于所述基板上的半导体芯片；和

接合层，所述接合层包含易熔金属和纤维状材料并且将所述基板和所述半导体芯片接合在一起。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述接合层包含所述易熔金属与金属的合金以及纤维状材料。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述接合层包含所述易熔金属与金属的合金以及纤维状金属材料。

18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述接合层包含所述易熔金属与金属的合金以及纤维状树脂材料。

19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述接合层包含所述易熔金属与金属的合金以及纤维状玻璃材料。

20.一种电源装置，包括：

基板；

置于所述基板上的半导体芯片；和

半导体装置，所述半导体器件包括接合层，所述接合层包含易熔金属和纤维状材料并且将所述基板和所述半导体芯片接合在一起。