[发明专利]宽频平面倒F型天线

权利要求书

1.一种宽频平面倒F型天线(Planar Inverted-F Antenna；PIFA)，包括：

第一辐射导体，包括：

第一斜面部；以及

馈入点，位于该第一斜面部的一端；

第二辐射导体，连接于该第一辐射导体的该馈入点处；以及

第三辐射导体，连接该第一辐射导体，该第三辐射导体包括：

第二斜面部，与该第一斜面部分开且相对；以及

接地点，位于该第二斜面部的一端并与该馈入点相对，其中该第一斜面部与该第二斜面部的间隔距离由该馈入点处沿远离该馈入点的方向逐渐变大。

2.如权利要求1所述的宽频平面倒F型天线，其中该第二辐射导体还包括：

辐射支柱，连接该第一辐射导体；以及

第一辐射臂与一第二辐射臂，分别连接该辐射支柱的相对两侧，其中该第一辐射臂与该第一辐射导体位于该辐射支柱的相同一侧。

3.如权利要求2所述的宽频平面倒F型天线，其中该第一辐射臂以及该第二辐射臂为L型支臂。

4.如权利要求2所述的宽频平面倒F型天线，其中该第一辐射臂的长度大于该第二辐射臂的长度。

5.如权利要求2所述的宽频平面倒F型天线，其中该第三辐射导体还包括第三斜面部，连接该第二斜面部，且该第三斜面部与该第二辐射臂位于该辐射支柱的相同一侧。

6.如权利要求5所述的宽频平面倒F型天线，其中一射频信号由该馈入点馈入后于该第一斜面部与该第二斜面部之间产成一第一行进波辐射，并于该第二辐射臂与该第三斜面部之间产成一第二行进波辐射，该第一行进波辐射与该第二行进波辐射组成一宽频行进波辐射。

7.如权利要求6所述的宽频平面倒F型天线，其中该射频信号由该馈入点馈入后经由该辐射支柱与该第一辐射臂产生一共振驻波辐射。

8.如权利要求6所述的宽频平面倒F型天线，其中该第一斜面部与该第二斜面部的最小间距决定该宽频行进波辐射的最大频率，且该第二辐射臂与该第三斜面部的最大间距决定该宽频行进波辐射的最小频率。

9.如权利要求5所述的宽频平面倒F型天线，其中该第二辐射臂与该第三斜面部的最大间距大于该第一斜面部与该第二斜面部的最大间距。

10.如权利要求5所述的宽频平面倒F型天线，其中该第一辐射导体还包括：

连接部，连接该第二辐射导体，其中该连接部包括该第一斜面部以及该馈入点；以及

转折部，连接于该连接部与该第三辐射导体之间，用以抵消该宽频平面倒F型天线扭曲变形所产生的应力，其中该转折部具有一弧面部，连接于该第一斜面部与该第二斜面部之间。

11.如权利要求10所述的宽频平面倒F型天线，其中该连接部与该第一辐射臂的间隔距离由该辐射支柱朝该转折部方向逐渐变小。

12.如权利要求5所述的宽频平面倒F型天线，其中该第三斜面部与该第一斜面部及该第二斜面部的夹角等分线的夹角介于30度与45度之间。

13.如权利要求1所述的宽频平面倒F型天线，其中该第一斜面部与该第二斜面部的夹角介于20度与60度之间。

14.如权利要求1所述的宽频平面倒F型天线为一体成型。

15.一种宽频平面倒F型天线，包括：

第一辐射导体，包括：

凹陷结构，其中该凹陷结构的相对两侧边的间隔距离由该凹陷结构的开口朝该凹陷结构的底部方向逐渐变大；

馈入点，位于该凹陷结构的开口处，用以接收一射频信号；以及

接地点，位于该凹陷结构的开口处并与该馈入点相对，其中该射频信号由该馈入点馈入后经由该凹陷结构产生一第一行进波辐射；以及

第二辐射导体，连接于该第一辐射导体的该馈入点处，其中该射频信号由该馈入点馈入后经由该第二辐射导体产生一共振驻波辐射。