[发明专利]穿孔制作机台及穿孔制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种穿孔制作机台及穿孔制作方法，且特别是有关于一种应用等离子体的穿孔制作机台及穿孔制作方法。

背景技术

于硅晶圆上形成硅穿孔(Through-Silicon Via，TSV)的技术行之年。目前以工艺时间来控制硅穿孔是否完整地形成，并加以过蚀刻方式来确保硅穿孔完整地形成。

然而，若时间控制方式过短，则可能有些硅穿孔完整形成，而有些硅穿孔未完整形成(即硅穿孔未完全贯穿而成为盲孔，或硅穿孔的仍底部残留硅材料)；若时间控制方式过长，则可能破坏到其它结构。

发明内容

本发明有关于一种穿孔制作机台及穿孔制作方法，一实施例中，可于基板中形成完整的穿孔。

根据本发明的一实施例，提出一种穿孔制作机台。穿孔制作机台用以于一物件中形成一穿孔。制作机台包括一载具、一光感测器及一等离子体产生器。载具用以承载物件。光感测器内埋于载具中。等离子体产生器产生一等离子体朝向物件，以于物件中形成穿孔，其中穿孔的位置对应光感测器。

根据本发明的另一实施例，提出一种穿孔制作方法。穿孔制作方法包括以下步骤。设置一物件于一穿孔制作机台上，其中穿孔制作机台包括一载具、一等离子体产生器及一光感测器，载具用以承载物件，而光感测器内埋于载具中；等离子体产生器产生一等离子体朝向该物件，以于物件中形成一穿孔。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的穿孔制作机台的示意图。

图2A绘示依照本发明一实施例的基板的剖视图。

图2B绘示图2A的基板的俯视图。

图3A至3B绘示依照本发明一实施例的穿孔的制作过程图。

主要元件符号说明：

100：穿孔制作机台

110：载具

111：开孔

120：光感测器

130：等离子体产生器

140：控制器

150：芯片

200：基板

210：透光支撑板

220：硅基板

221：硅晶圆

222：遮光层结构

223：绝缘层

224：导电层

230：穿孔

C：切割道

H1、H2：宽度

P：等离子体

S：侦测信号

W：侦测窗

具体实施方式

请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的穿孔制作机台的示意图。穿孔制作机台100包括载具110、至少一光感测器120、等离子体产生器130及控制器140。

如图1所示，载具110可承载一物件，此物件以基板200(基板200绘示于图2A)为例说明，然本发明实施例并不限于此，另一实施例中，此物件亦可为任何需要形成穿孔的物体。

载具110具有至少一开孔111，光感测器120内埋于开孔111内且从开孔111露出，如此光感测器120不致影响到基板200的设置。本实施例中，开孔111盲孔，而光感测器120设于开孔111的底面上。另一实施例中，光感测器120可邻近开孔111的上部配置，当光感测器120愈靠近开孔111的上部时，则光感测器120与等离子体产生器130的距离愈近，使光感测器120可更快速地侦测到等离子体P(容后描述)的光量，另外，光感测器120的位置对应于等离子体产生器130的区域，如此可于基板中形成穿孔时同时侦测穿孔形成状况，且穿孔制作机台100可于侦测到穿孔形成后停止等离子体的作用。

请参照图2A，其绘示依照本发明一实施例的基板的剖视图。基板200包括透光支撑板210及硅基板220，其中硅基板220设于透光支撑板210上。透光支撑板210可以是全透光或部份透光的支撑板。只要光线可穿透透光支撑板210即可，本实施例对透光支撑板210的透光率不加以限制。透光支撑板210例如是玻璃基板，其可支撑硅基板220，避免硅基板220在形成穿孔的过程中破裂。另一实施例中，若硅基板220的强度足够，则可省略透光支撑板210。

硅基板220包括硅晶圆221及遮光层结构222，硅基板220以遮光层结构222设于透光支撑板210上。其中，遮光层结构222形成于硅晶圆221上且具有至少一侦测窗W。侦测窗W贯穿遮光层结构222，以露出硅晶圆221。