[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法

权利要求书

1.一种用于在掩模布局中布置亚分辨辅助特征的方法，包括步骤：

产生用于所述掩模布局的SRAF引导图，其中所述SRAF引导图是这样的图像：即，在所述图像中如果所述像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分，则每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献；和

根据所述SRAF引导图在所述掩模布局中布置亚分辨辅助特征；

其中，产生SRAF引导图的步骤包括：

采用表示曝光工具的光学路径的传递交叉系数计算双线性SRAF引导图核；

采用所述传递交叉系数计算线性SRAF引导图核；

采用所述双线性SRAF引导图核和所述掩模布局计算部分SRAF引导图；

采用所述线性SRAF引导图核和所述掩模布局计算第二部分SRAF引导图；和

将所述部分SRAF引导图和所述第二部分SRAF引导图结合。

2.一种具有包括亚分辨辅助特征的掩模布局的掩模，其中所述亚分辨辅助特征根据SRAF引导图进行布置，其中所述SRAF引导图是这样的图像：即，在所述图像中如果所述像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分，则每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的通过焦距和通过剂量边缘行为提供正面贡献。

3.一种用于在掩模布局内确定一个或更多个特征的位置的方法，包括步骤：

在所述掩模布局内布置第一特征；

基于所述第一特征的布置执行掩模模拟，其中执行所述掩模模拟的步骤包括产生SRAF引导图；和

基于从所述模拟中获得的结果确定用于在所述掩模布局中布置第二特征的位置。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括步骤：

在所确定的位置布置所述第二特征；和

基于前面布置的特征反复地重复执行掩模模拟的步骤，确定用于在所述掩模布局内布置另一特征的位置，并且布置所述另一特征直到所需数目的特征已经布置在所述掩模布局中。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括步骤：采用OPC最优化所述掩模布局。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括步骤：采用分辨率增强技术最优化所述掩模布局。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括步骤：产生多个布局引导图，其中每个布局引导图表示掩模布局的模拟的成像性能。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述每个布局引导图包括具有多个像素值的两维图像，基于一个或更多个所述像素值计算特征的所述布置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，每个所述像素值表示对布置在所述像素上的一部分特征的所述掩模布局内的一个或更多个图案的可印刷性的影响。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，对可印刷性的所述影响是负面的影响。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，布置在所述像素上的所述部分特征提高所述一个或更多个图案的可印刷性。