[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201210031140.6 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102682852A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 今井丈晴;高木宏树 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：
高电压产生电路，其用以对存储器供给高电压；
高电压调节电路，其是将所述高电压产生电路中所产生的高电压维持为固定电压的电路，且包含电压设定用元件；
电压调整电路，其调整所述电压设定用元件的电位而调整供给至存储器的高电压；及
存储部，其存储着供给至所述电压调整电路的电压修正数据。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电压设定用元件为齐纳二极管。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电压调整电路调整所述齐纳二极管的阳极侧的电位。
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电压调整电路调整所述齐纳二极管的阴极侧的电位。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：电压设定用元件为电阻。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：电压设定用元件为连接成具有二极管特性的第一晶体管。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的半导体存储装置，其特征在于：所述存储部由所述存储器的一部分构成。
8.根据权利要求2至7中任一权利要求所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电压修正数据是对应于所述电压设定用元件的电位的调整范围而被写入至所述存储部中。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的半导体存储装置，其特征在于：利用所述电压调整电路对电压设定用元件的电位调整是通过与所述电压设定用元件连接的第二晶体管的临界电压进行调整。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：串联连接着多个所述第二晶体管，通过所述多个晶体管的导通、断开的组合来调整所述电压设定用元件的电位。
11.根据权利要求9或10所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第二晶体管由具有不同临界值的晶体管构成。
12.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电压调整电路由包含锁存电路与所述第二晶体管的电路构成。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：所述锁存电路在每次从所述存储部读出电压修正数据时锁存数据。
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