[发明专利]有机半导体元件有效

专利信息
申请号: 201210031103.5 申请日: 2002-12-05
公开(公告)号: CN102544374A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/52;H01L27/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机半导体 元件
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大于2的整数;以及

包括化合物半导体的薄膜层,该薄膜层形成在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间,其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流。

2.根据权利要求1的太阳能电池,其中所述化合物半导体选自ZnS、ZnSe、GaN、AlGaN和CdS。

3.根据权利要求1的太阳能电池,其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和n型有机半导体的层叠结构。

4.根据权利要求1的太阳能电池,其中n是2。

5.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大于2的整数;以及

包括包含电子受主和电子施主的电荷转移合成物的薄膜层,该薄膜层形成在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间,其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流。

6.根据权利要求5的太阳能电池,其中所述电子受主和所述电子施主的每一个是有机化合物。

7.根据权利要求5的太阳能电池,其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和n型有机半导体的层叠结构。

8.根据权利要求5的太阳能电池,其中n是2。

9.一种太阳能电池,包括:

在两个电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大于2的整数;以及

包含π共轭有机化合物的薄膜层,该π共轭有机化合物掺杂有施主或受主,该薄膜层形成在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间,其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流。

10.根据权利要求9的太阳能电池,其中所述受主是路易斯酸。

11.根据权利要求9的太阳能电池,其中所述施主选自碱金属和碱土金属。

12.根据权利要求9的太阳能电池,其中所述第一至第n个功能有机薄膜层各包含具有p型有机半导体和n型有机半导体的层叠结构。

13.根据权利要求9的太阳能电池,其中n是2。

14.一种太阳能电池,包括:

第一电极和第二电极;

在所述第一电极和第二电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大于2的整数;以及

包括氧化钼或氧化锂的薄膜层,该薄膜层形成在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间,其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流。

15.根据权利要求14的太阳能电池,其中所述薄膜层包括氧化钼和氧化锂。

16.根据权利要求14的太阳能电池,其中n是2。

17.根据权利要求14的太阳能电池,其中所述第二电极是透明电极。

18.根据权利要求14的太阳能电池,其中所述第二电极包括金属或合金。

19.一种太阳能电池,包括:

第一电极和第二电极;

在所述第一电极和第二电极之间的第一至第n个功能有机薄膜层,其中n是等于或大于2的整数;以及

形成在第k功能有机薄膜层和第k+1功能有机薄膜层之间的薄膜层,其中k是1≤k≤(n-1)的整数,

其中所述第一至第n个功能有机薄膜层能够通过吸收光生成光电流,

其中所述薄膜层包括第一层和第二层,

其中所述第一层包括掺杂有施主的第一绝缘有机化合物,以及

其中所述第二层包括掺杂有受主的第二绝缘有机化合物。

20.根据权利要求19的太阳能电池,

其中所述第一电极和第二电极分别是阳极和阴极,以及

其中所述第一层设置在比所述第二层更靠近所述阳极。

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