[发明专利]电极防腐蚀剂、使用电极防腐蚀剂的发光器件无效
| 申请号： | 201210031042.2 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102676052A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 中村敬彦 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | C09D183/04 | 分类号： | C09D183/04;C09D5/08;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 腐蚀剂 使用 发光 器件 | ||
1.一种电极防腐蚀剂，其特征在于，
含有由四烷氧基硅烷、甲基三烷氧基硅烷、三烷氧基乙烯基硅烷、(3-巯基丙基)三烷氧基硅烷构成的硅氧烷化合物。
2.如权利要求1所述的电极防腐蚀剂，其特征在于，
所述硅氧烷化合物是将四乙氧基硅烷∶甲基三乙氧基硅烷∶三乙氧基乙烯基硅烷∶(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷以摩尔比30～60∶20～50∶10∶1混合的化合物。
3.一种发光器件，其特征在于，具备：
基板；
光半导体元件，安装于所述基板；
金属电极，形成于所述基板上，与所述光半导体元件电连接；
预涂层，覆盖所述金属电极，并且，由含有由四烷氧基硅烷、甲基三烷氧基硅烷、三烷氧基乙烯基硅烷、(3-巯基丙基)三烷氧基硅烷构成的硅氧烷化合物的电极防腐蚀剂形成；
以及密封层，覆盖所述预涂层，密封所述光半导体元件。
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
所述密封层含有由二烷氧基二甲基硅烷、三甲基烷氧基硅烷、二烷氧基甲基硅烷、二烷氧基甲基乙烯基硅烷构成的聚硅氧烷化合物。
5.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
所述密封层具备含有由二烷氧基二甲基硅烷、三甲基烷氧基硅烷、二烷氧基甲基硅烷、二甲基烷氧基乙烯基硅烷构成的聚硅氧烷化合物的密封层。
6.如权利要求3至5中的任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述硅氧烷化合物是将四乙氧基硅烷∶甲基三乙氧基硅烷∶三乙氧基乙烯基硅烷∶(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷以摩尔比30～60∶20～50∶10∶1混合的化合物。
7.如权利要求3至6中的任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述预涂层的厚度为0.5μm～6μm。
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