[发明专利]纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点电压设置方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器的擦写参考点电压设置方法，具体的讲是涉及一种纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点电压设置方法。

背景技术

半导体存储器的种类很多，其中纳米晶体非易失性存储器，可以对其存储单元的数据进行多次擦除和写入。存储单元的数据是二进制代码，即0或1代码。在对纳米晶体非易失性存储器的存储单元数据进行擦除和写入时要设置一个参考点电压，以实现存储器存储单元数据的擦除和写入。半导体存储器一般为低电平擦除，即低于参考点电压为擦除电压，高于参考点的电压为写入电压。如图1所示，现有技术的参考点电压100是静态的，即固定电压。横坐标C代表擦写次数，纵坐标V代表擦写电压。参考点电压100与擦除电压200之间的区域为擦除区电压，参考点电压100与写入电压300之间的电压为写入区电压。此种参考点电压的设置方法，由于存储器数据的擦除电压和写入电压是根据擦写次数而变化的，即擦写次数越多，擦除和写入的电压越大。而擦写次数越多，擦除电压200与参考点电压100越接近，从而使擦除区的电压范围变小，则半导体存储器中的数据有一个1代码未被擦除时，即使写入区的电压范围再大，存储器的存储单元也无法写入新数据。当擦除点电压200越接近参考点电压100时，使半导体存储器的擦写次数受到了很大的限制，因此，使纳米晶体非易失性存储器的使用寿命变短。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供了一种使用寿命较长的纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点设置方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：将参考点电压设置为动态电压，使其与擦除电压同步变化。

进一步的，将参考点电压设置为动态的，使其与擦除电压同步等量变化。

进一步的，所述写入电压与擦除电压同步等量变化。

本发明的有益效果是：参考点电压是动态的，参考点电压跟随擦除电压同步变化，则因擦除次数而使擦除电压升高时，参考点电压也升高，则本发明动态参考点的擦除区电压范围要大于参考点固定电压的擦除区电压范围，因此，本发明纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点设置方法能使纳米晶体非易失性存储器的使用寿命更长。

当参考点电压与擦除电压同步等量变化时，半导体存储器无论进行多少次擦写，擦除电压与参考点电压的电压范围总是恒定不变的，因此，擦除电压与参考点电压的电压范围不会因为擦写次数而改变，则半导体存储器中的1代码数据，就很容易的被擦除电压擦除；采用动态参考点电压后，由于现有技术中写入电压也是随擦除电压同步增加或者同步等量变化的，则写入电压与参考点电压之间的电压范围也保持恒定，不会造成现有技术中写入区的电压范围过大的问题，又由于擦除区的电压范围是恒定的，因此，半导体存储器的数据擦除后可以写入新数据。

由于参考点电压跟随擦除电压同步等量变化，因此，擦除电压永远都不会接近参考点电压，则半导体存储器的数据擦写电压就不受擦写次数的限制，因此，使纳米晶体非易失性存储器的使用寿命更长。

附图说明

图1是现有技术纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点设置方法示意图；

图2-3是本发明纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点设置方法示意图。

图中所示：1、参考点电压，2、擦除电压，3、写入电压，C、擦写次数，V、擦写电压。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述：

实施例1：

如图2所示，本发明纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点电压设置方法，将参考点电压1设置为动态的，参考点电压1跟随擦除电压2同步变化。其中，横轴坐标C代表擦写次数，纵轴坐标V代表擦写电压。

参考点电压1是动态的，参考点电压1跟随擦除电压2同步变化，则因擦除次数而使擦除电压2升高时，参考点电压1也升高，则本发明动态参考点的擦除区电压范围要大于参考点固定电压的擦除区电压范围，因此，本发明纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点设置方法能使纳米晶体非易失性存储器的使用寿命更长。

实施例2：

如图3所示，本实施例2是在实施例1的基础上改进而成，其区别在于：，参考点电压1跟随擦除电压2同步等量变化；写入电压3与擦除电压2同步等量变化。