[发明专利]刻蚀控制方法以及半导体制造工艺控制方法在审
| 申请号： | 201210030446.X | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543799A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杜廷卫;施海铭;曹玖明 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 控制 方法 以及 半导体 制造 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀控制方法，其特征在于包括：
在发生传送模块气压偏移时发出传送模块气压警告；
利用设备自动化系统实时检查传送模块气压警告记录，确定是否有传送模块气压警告；
在存在传送模块气压警告的情况下，设备自动化系统立刻给机台发出停止运行的命令，蚀刻机台收到命令后，蚀刻设备自动停止装货卸货腔运行工艺流程，并且使有缺陷的晶圆停止反应；单独继续处理有缺陷的晶圆。
2.根据权利要求1所述的刻蚀控制方法，其特征在于还包括步骤：对筛选出来的有缺陷的晶圆进行处理以消除缺陷，随后对消除了缺陷的晶圆进行正常处理。
3.根据权利要求1或2所述的刻蚀控制方法，其特征在于，传送模块气压偏移是由于装货卸货腔和传送模块的隔离阀泄漏造成的。
4.一种半导体制造工艺控制方法，其特征在于采用了根据权利要求1至3之一所述的刻蚀控制方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
