[发明专利]闪存错误检查及纠正修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及涉及一种闪存错误检查及纠正修复方法。

背景技术

半导体存储器件(例如闪存)不断地朝着高集成度和高容量存储单元的方向发展。在闪存设计中，通常采用各种错误检查及纠正修复方法来提高闪存芯片的成品率。

在现有的闪存错误检查及纠正修复方法中，有时候仅仅能够进行错误检查，而不能及时地进行错误纠正修复；或者，虽然有些方法能够进行错误纠正修复，但是其错误检查能力有限，而错误纠正修复只能纠正那些有限的能够检查出来的错误，从而也造成了闪存的成品率的下降。

从而，现有的闪存错误检查及纠正修复方法很难使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。

因此，希望能够提供一种系统性的有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种系统性的能够有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法。

根据本发明，提供了一种闪存错误检查及纠正修复方法，其包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；

应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；

第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；

其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域。

优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效。

优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤。

优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤。

优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：当第四判断步骤中判断冗余扇区失效时利用冗余扇区来进行修复。

优选地，所述闪存错误检查及纠正修复方法还包括：在利用冗余扇区来进行修复之后还进行读取检测。

根据本发明的闪存错误检查及纠正修复方法是一种系统性的能够有效提高闪存成品率的闪存错误检查及纠正修复方法，其可使得嵌入式闪存满足0PPM规范要求(即，一百万个元器件里的失效率为零)。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示出了根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1示出了根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法的流程图。

如图1所示，根据本发明实施例的闪存错误检查及纠正修复方法可包括如下步骤：

在步骤S1(晶圆级测试步骤)中，对闪存进行晶圆级测试，并使之通过晶圆级测试；并且还对闪存进行晶圆级测试，并使之通过判断闪存是否通过封装级测试，例如可对闪存进行扇区修复以使闪存通过封装级测试。

在步骤S2(应用步骤)中，将闪存应用至特定应用领域。例如，可将闪存应用至汽车电子等高质量、高可靠性领域，可将闪存作为嵌入式闪存，例如汽车电子系统中的的嵌入式闪存。

在步骤S2之后，在步骤S3(第一判断步骤)中判断是否有擦除动作。具体地说，对闪存芯片，闪存块，闪存扇区均进行这种判断。

如果步骤S3的判断是肯定的，则在步骤S4必须读取整个擦除区域。

随后，在步骤S5(第二判断步骤)中判断行是否有读取失效。

当步骤S5的判定结果是肯定的时候(即，当步骤S4的判定结果为“有读取失效”)，在步骤S6(第三判断步骤)中判断是否有行失效；具体地说，作为示例，例如可以在同一行的失效字节数量大于10时确定有行失效。

如果步骤S6的判断是肯定的，则在步骤S7(第四判断步骤)中判断检测冗余扇区是否失效。