[发明专利]使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法

权利要求书

1.使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于包括如下步骤：

第一步：按照系统设计要求，制定射频芯片的设计性能要求；

第二步：根据第一步的设计性能要求，设计电路原理图，仿真电路确定原理图中各器件的参数；

第三步：根据第二步的电路原理图，进行设计规划检查，得到版图；

第四步：对第三步的电路原理图进行三维快速电磁场仿真；

第五步：对第四步的仿真结果与预设值进行比对，若判断为是，则执行结束；若判断为否，则返回第二步重新仿真。

2.根据权利要求1所述的使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于具体包括如下步骤：

a）按照系统设计要求，制定射频芯片的设计性能要求；

b）按照a)的设计性能要求，设计电路原理图，仿真电路确定原理图中各器件的参数；

c）根据电路原理图设计版图，并进行设计规则检查，得到版图；

d）将需要进行电磁场仿真的部分版图选取出来，获得其平面几何形状；

e）加入厚度信息，将平面形状转换成三维图形，从而获得三维模型；

f）将三维模型导入电磁场仿真器进行仿真；

g）将电磁场仿真器的仿真结果输出为S参数形势；

h）将原来的电路原理图中相应的结构去掉，用输出的S参数代替，然后进行整体电路的仿真；

i）如果整体电路的仿真结果满足设计要求，则制作射频芯片；如果整体电路的仿真结果不满足设计要求，则返回b）步骤重新仿真。

3.根据权利要求1所述的使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于第四步的三维快速电磁场仿真包括如下步骤：

1）在版图中加载工艺技术；

2）选取需要进行三维电磁场仿真的部分产生模型单元；

3）对于第2）步产生的模型单元进行快速电磁场仿真；

4）对第3）步的快速电磁场仿真结果进行模型反标仿真。

4.根据权利要求3所述的使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于上述加载工艺技术包括器件结构的厚度以及器件材料的信息。

5.根据权利要求3所述的使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于选取版图中需要进行三维仿真的部分，按照关联性划分为一个单元或多个单元，所述每个单元由版图直接生成三维模型结构，直接应用优化算法的三维电磁场仿真，对划分的每个单元进行分析。

6.根据权利要求3所述的使用三维快速电磁场仿真技术设计射频集成电路的方法，其特征在于上述第4）步具体为：将模型反标到原来的电路设计中并进行整体电路仿真，用S参数模型或者Spice模型来代表原来设计中对应的电路结构，构成一个新的完整的电路结构后进行仿真，从而验证并优化设计。