[发明专利]一种去除硅纳米晶的方法无效
| 申请号： | 201210029850.5 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103247527A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王永;王琴;谢常青;霍宗亮;张满红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 纳米 方法 | ||
1.一种去除硅纳米晶的方法，其特征在于，该方法是采用化学机械研磨的方法实现的，该化学机械研磨是以氮化硅作为研磨的终止层，并且该化学机械研磨是在二氧化硅/氮化硅/硅纳米晶/HTO四层结构生成之后进行的。
2.根据权利要求1所述的去除硅纳米晶的方法，其特征在于，所述氮化硅只存在于需要去除的纳米晶所在区域，所述硅纳米晶存在于整片区域，需要被保留的硅纳米晶处于单层二氧化硅之上。
3.根据权利要求1所述的去除硅纳米晶的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
在硅衬底上热氧化一层二氧化硅；
采用LPCVD方法在二氧化硅上淀积一层氮化硅；
对氮化硅和二氧化硅进行光刻，直至露出硅衬底，得到需要刻蚀的区域；
在光刻后的氮化硅及硅衬底上淀积第一HTO层；
采用稀氢氟酸处理第一HTO层的表面，并用LPCVD方法在第一HTO层表面淀积一层硅纳米晶；
在硅纳米晶上淀积第二HTO层；
采用化学机械研磨的方法，以氮化硅为终止层，去除氮化硅层之上的第二HTO层、硅纳米晶和第一HTO层三层结构；以及
去除氮化硅。
4.根据权利要求3所述的去除硅纳米晶的方法，其特征在于，所述采用LPCVD方法在二氧化硅上淀积一层氮化硅的步骤中，该氮化硅的厚度范围为50～60nm。
5.根据权利要求3所述的去除硅纳米晶的方法，其特征在于，所述在光刻后的氮化硅及硅衬底上淀积第一HTO层的步骤中，该第一HTO层的厚度范围为4～7nm。
6.根据权利要求3所述的去除硅纳米晶的方法，其特征在于，所述在硅纳米晶上淀积第二HTO层的步骤中，该第二HTO层的厚度范围为7～12nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
