[发明专利]制造应变源极/漏极结构的方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底；

栅极结构，位于所述衬底上方，并且在所述衬底中限定出沟道区域；

以及外延epi应变器，位于所述衬底中，其间插入有所述沟道区域，其中，至少一个所述epi应变器包括：

轻掺杂源极/漏极LDD元件；

以及源极/漏极S/D元件，邻近所述LDD部分。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述epi应变器的材料与所述衬底的材料不同。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述epi应变器包含硅和附加元素的组分，所述附加元素是锗、锡、碳、或其组合。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述epi应变器包含锗硅SiGe，其中，Ge等于或者大于大约35at％。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

缓冲器层，位于所述epi应变器下方。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述缓冲器层包含硅和附加元素的组分，所述附加元素是锗、锡、碳、或其组合。

7.根据权利要求5所述的器件，其中，所述缓冲器层包含锗硅SiGe，其中，Ge等于或者小于大约25at％。

8.根据权利要求5所述的器件，其中，所述缓冲器层的厚度处于大约50埃到大约250埃的范围内。

9.一种器件，包括：

衬底；

栅极结构，位于所述衬底上方，并且在所述衬底中限定出沟道区域；

栅极隔离件，位于所述栅极结构的相对侧壁上；

轻掺杂源极/漏极LDD元件，位于所述衬底中，其间插入有所述沟道区域；

以及源极/漏极S/D元件，位于所述衬底中，其间插入有所述沟道区域，并且邻近所述LDD元件，其中，所述S/D元件和所述LDD元件的材料相同，所述S/D元件和所述LDD元件所包含的掺杂剂的掺杂浓度相同；以及

接触元件，位于所述S/D元件上方。

10.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成栅极结构，并且在半导体衬底中限定出沟道区域；

在所述栅极结构的相对侧壁上形成隔离件；

在所述半导体衬底中形成沟槽，其间插入有所述沟道区域；

在所述沟槽中外延生长第一半导体层，其中，所述第一半导体层含有硅和附加元素的组分；

在所述第一半导体层上方和所述沟槽中外延生长第二半导体层，其中，所述第二半导体层形成LDD元件和S/D元件，并且含有硅和附加元素的组分；

以及在所述第二半导体层上方外延生长接触元件，其中，所述接触元件含有硅和附加元素的组分，所述第二半导体层中的附加元素的原子比大于所述第一半导体层和所述接触元件中的附加元素的原子比。