[发明专利]用低压冷焊制作装置的方法有效
申请号: | 201210029472.0 | 申请日: | 2003-12-02 |
公开(公告)号: | CN102544367A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 金昌淳;斯蒂芬·R·弗瑞斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 冷焊 制作 装置 方法 | ||
1.一种转印方法,包括:
在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积金属层,其中已刻图的、软的弹性体印模是混合印模;和
通过将淀积在已刻图的、软的弹性体印模上的层冷焊到基片上的层或冷焊到所述基片,来把该金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到所述基片上。
2.按照权利要求1的方法,还包括:
在淀积金属层之前,在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积降低粘附性层,使金属层淀积在该降低粘附性层上。
3.按照权利要求1的方法,还包括:
在把金属层转印到基片上之前,在基片上淀积有机层和在该有机层上淀积冲压层,使金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上,以便在转印过程中,使来自已刻图的、软的弹性体印模的金属层,直接与冲压层接触。
4.按照权利要求3的方法,还包括:
在淀积金属层之前,在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积降低粘附性层,使金属层淀积在该降低粘附性层上。
5.按照权利要求3的方法,其中的冲压层包括金属。
6.按照权利要求3的方法,其中的冲压层与有机层,有良好的电接触。
7.按照权利要求5的方法,其中冲压层的淀积还包括,淀积一层Al和LiF,接着淀积一层Au。
8.按照权利要求7的方法,其中Al和LiF层的厚度小于1nm,而Au层的厚度小于15nm。
9.按照权利要求5的方法,其中的冲压层厚度为5到16nm。
10.按照权利要求3的方法,其中的金属层包括Au。
11.按照权利要求5的方法,其中,本方法是在真空中进行的。
12.按照权利要求5的方法,其中的金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上,不形成氧化层。
13.按照权利要求5的方法,其中的金属层厚度为30到100nm。
14.按照权利要求3的方法,还包括:
除去冲压层上没有被转印的金属层覆盖的部分。
15.按照权利要求14的方法,其中的冲压层部分是用溅射除去的。
16.按照权利要求3的方法,其中的金属层,通过施加180kPa或更低的压力,从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上。
17.按照权利要求3的方法,其中的金属层以大于或等于100nm的分辨率,从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上。
18.按照权利要求3的方法,其中的印模包括聚二甲基硅氧烷(poly(dimethylsiloxane))。
19.按照权利要求3的方法,其中的印模包括附着在软的内层之外的硬材料的外层。
20.按照权利要求19的方法,其中的外层包括h-PDMS,而内层包括PDMS。
21.按照权利要求3的方法,其中的有机层包括小分子有机材料。
22.按照权利要求3的方法,其中的有机层还包括:空穴输运层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层以及电子输运层,按该顺序淀积在基片上。
23.按照权利要求3的方法,其中的有机层被刻图,成为能发射不同光谱的区。
24.按照权利要求3的方法,还包括:
在淀积有机层之前,在基片上制作已刻图的下电极。
25.按照权利要求3的方法,其中的冲压层包括连续的薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择