[发明专利]用低压冷焊制作装置的方法有效

专利信息
申请号: 201210029472.0 申请日: 2003-12-02
公开(公告)号: CN102544367A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 金昌淳;斯蒂芬·R·弗瑞斯特 申请(专利权)人: 普林斯顿大学理事会
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 蒋世迅
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 低压 冷焊 制作 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种转印方法,包括:

在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积金属层,其中已刻图的、软的弹性体印模是混合印模;和

通过将淀积在已刻图的、软的弹性体印模上的层冷焊到基片上的层或冷焊到所述基片,来把该金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到所述基片上。

2.按照权利要求1的方法,还包括:

在淀积金属层之前,在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积降低粘附性层,使金属层淀积在该降低粘附性层上。

3.按照权利要求1的方法,还包括:

在把金属层转印到基片上之前,在基片上淀积有机层和在该有机层上淀积冲压层,使金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上,以便在转印过程中,使来自已刻图的、软的弹性体印模的金属层,直接与冲压层接触。

4.按照权利要求3的方法,还包括:

在淀积金属层之前,在已刻图的、软的弹性体印模上,淀积降低粘附性层,使金属层淀积在该降低粘附性层上。

5.按照权利要求3的方法,其中的冲压层包括金属。

6.按照权利要求3的方法,其中的冲压层与有机层,有良好的电接触。

7.按照权利要求5的方法,其中冲压层的淀积还包括,淀积一层Al和LiF,接着淀积一层Au。

8.按照权利要求7的方法,其中Al和LiF层的厚度小于1nm,而Au层的厚度小于15nm。

9.按照权利要求5的方法,其中的冲压层厚度为5到16nm。

10.按照权利要求3的方法,其中的金属层包括Au。

11.按照权利要求5的方法,其中,本方法是在真空中进行的。

12.按照权利要求5的方法,其中的金属层从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上,不形成氧化层。

13.按照权利要求5的方法,其中的金属层厚度为30到100nm。

14.按照权利要求3的方法,还包括:

除去冲压层上没有被转印的金属层覆盖的部分。

15.按照权利要求14的方法,其中的冲压层部分是用溅射除去的。

16.按照权利要求3的方法,其中的金属层,通过施加180kPa或更低的压力,从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上。

17.按照权利要求3的方法,其中的金属层以大于或等于100nm的分辨率,从已刻图的、软的弹性体印模,转印到冲压层上。

18.按照权利要求3的方法,其中的印模包括聚二甲基硅氧烷(poly(dimethylsiloxane))。

19.按照权利要求3的方法,其中的印模包括附着在软的内层之外的硬材料的外层。

20.按照权利要求19的方法,其中的外层包括h-PDMS,而内层包括PDMS。

21.按照权利要求3的方法,其中的有机层包括小分子有机材料。

22.按照权利要求3的方法,其中的有机层还包括:空穴输运层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层以及电子输运层,按该顺序淀积在基片上。

23.按照权利要求3的方法,其中的有机层被刻图,成为能发射不同光谱的区。

24.按照权利要求3的方法,还包括:

在淀积有机层之前,在基片上制作已刻图的下电极。

25.按照权利要求3的方法,其中的冲压层包括连续的薄膜。

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