[发明专利]一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法

权利要求书

1.一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，包括利用水热法生长ZnO纳米线阵列的步骤，对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤，制备金属电极的步骤，测定ZnO纳米线伏安特性的步骤，其特征在于：对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤指利用B₂H₆等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B₂H₆，射频功率在30-60W，压强70-100Pa，加热温度为300℃，时间为5-20min。

2.如权利要求1所述的一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，其特征在于：所述的利用水热法生长ZnO纳米线阵列的步骤为：采用原子层沉积（ALD）或是旋涂法制备ZnO籽晶，采用透明导电膜、硅片或是金属电极为衬底，采用硝酸锌和六甲基四胺的混合液作为制备纳米线的溶液，生长温度为70-90℃，时间为4-6小时。

3.如权利要求1所述的一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，其特征在于：所述的制备金属电极的步骤为：采用磁控溅射或蒸发方法制备铝电极，厚度在100nm。

4.如权利要求2所述的一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，其特征在于：旋涂法制备ZnO籽晶的步骤为：以乙二醇甲基醚为溶剂、醋酸锌为溶质、乙醇胺为稳定剂配制醋酸锌溶液，其中醋酸锌的浓度为0.4 mol/L，乙醇胺的浓度为0.4 mol/L；旋涂一层后，100℃烘干，重复5次后，400℃退火30 min。