[发明专利]一种超结肖特基半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201210028161.2 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103208511A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 盛况;朱江 | 申请（专利权）人： | 盛况;朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310027 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超结肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种超结肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料构成；
超结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料相互排列构成；
第一类型肖特基势垒结，位于超结结构的第一导电半导体材料表面；
第二类型肖特基势垒结，位于超结结构的第二导电半导体材料表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料和低浓度杂质掺杂的半导体材料叠加层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的超结结构可以为半超结结构，即在传统超结结构中的漂移层底部增加一个第一导电半导体材料层或第二导电半导体材料层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第一类型肖特基势垒结为势垒金属与第一导电半导体材料形成的结。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二类型肖特基势垒结为势垒金属与第二导电半导体材料形成的结。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置上表面和下表面覆盖有金属，金属并联第一类肖特基势垒结和第二类型肖特基势垒结。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料形成电荷补偿，形成超结结构。
9.如权利要求1所述的一种超结肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料和第二导电半导体材料的超结结构；
2)在超结结构表面淀积势垒金属，形成肖特基势垒结。
10.如权利要求1所述的一种超结肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层；
2)在第一导电半导体材料层表面形成具有第一导电半导体材料和第二导电半导体材料的超结结构；
3)在超结结构表面淀积势垒金属，形成肖特基势垒结。
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