[发明专利]半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法

权利要求书

1.一种具有半导体基板和多个绝缘膜的半导体装置的制造方法，所述多个绝缘膜包括设置在半导体基板上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜、以及设置在第三绝缘膜上的第四绝缘膜并且具有开口，所述开口至少在第二绝缘膜、第三绝缘膜和第四绝缘膜之间连通，所述方法包括：

在所述半导体基板之上形成用于在所述多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模，其中在所述半导体基板上依次层叠要被形成为第一绝缘膜的部件、由与要被形成为第一绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第二绝缘膜的部件、要被形成为第三绝缘膜的部件、以及由与要被形成为第三绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第四绝缘膜的部件；

通过在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件均被蚀刻的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件，连续去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第四绝缘膜的部件和在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第三绝缘膜的部件；以及

在所述连续去除之后，通过在要被形成为第二绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用所述掩模蚀刻要被形成为第二绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第二绝缘膜的部件。

2.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，

第三绝缘膜由与第一绝缘膜的材料相同的材料制成；以及

第四绝缘膜由与第二绝缘膜的材料相同的材料制成。

3.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，

第一绝缘膜由硅氧化物制成；以及

第二绝缘膜由硅氮化物制成。

4.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，所述方法进一步包括：

通过使用所述掩模的蚀刻，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第一绝缘膜的部件。

5.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，所述方法进一步包括：

在半导体基板中形成多个光电转换部；以及

在形成多个绝缘膜之前，以一个绝缘膜与一个光电转换部对应的方式形成多个绝缘膜。

6.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，所述方法进一步包括：

在形成多个绝缘膜期间，形成布线层。

7.根据权利要求6的半导体装置的制造方法，其中，

所述布线层至少包含第一布线层和第二布线层；

第二绝缘膜被形成为与第一布线层的上表面接触；以及

第四绝缘膜被形成为与第二布线层的上表面接触。

8.根据权利要求7的半导体装置的制造方法，其中，

通过镶嵌工艺形成第一布线层和第二布线层；以及

第二绝缘膜和第四绝缘膜用作当在镶嵌工艺中形成槽时的蚀刻阻止膜。

9.一种固态图像拾取装置的制造方法，所述固态图像拾取装置具有：具备多个光电转换部的半导体基板；多个绝缘膜，包括设置在半导体基板上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜、以及设置在第三绝缘膜上的第四绝缘膜，并具有各自至少在第二绝缘膜、第三绝缘膜和第四绝缘膜之间连通的开口；设置在开口中的每一个中以与多个光电转换部对应的高折射率部件；以及设置在高折射率部件和每一个光电转换部之间的绝缘膜，所述方法包括：

在半导体基板之上形成用于在所述多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模，其中在所述半导体基板上依次层叠要被形成为设置在高折射率部件和光电转换部之间的绝缘膜的部件、要被形成为第一绝缘膜的部件、由与要被形成为第一绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第二绝缘膜的部件、要被形成为第三绝缘膜的部件、以及由与要被形成为第三绝缘膜的部件的材料不同的材料制成的要被形成为第四绝缘膜的部件；

通过在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件均被蚀刻的条件下、用掩模蚀刻要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第四绝缘膜的部件和在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第三绝缘膜的部件；

在要被形成为第四绝缘膜的部件和要被形成为第三绝缘膜的部件的所述去除之后，通过在要被形成为第二绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用掩模蚀刻要被形成为第二绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第二绝缘膜的部件；以及

通过在要被形成为第一绝缘膜的部件的蚀刻速度比要被形成为设置在高折射率部件和光电转换部之间的绝缘膜的部件的蚀刻速度高的条件下、用掩模蚀刻要被形成为第一绝缘膜的部件，去除在与所述掩模的开口对应的部分处的要被形成为第一绝缘膜的部件。