[发明专利]电镀方法无效
| 申请号： | 201210027587.6 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102560586A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D21/12;C25D17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 | ||
1.一种电镀方法，包括：
提供化学电镀槽，所述化学电镀槽包括电镀池，所述电镀池中设置有阳极；
将半导体晶圆通过衬底固定装置进行固定，所述半导体晶圆待电镀面与所述阳极相对设置；
为所述阳极提供正极电压，为所述半导体晶圆提供负极电压；
其特征在于，在电镀过程中，使所述阳极与所述半导体晶圆之间的距离沿中间区域向边缘区域依次增大。
2.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，还包括：在所述阳极的边缘区域设置挡板。
3.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述阳极为多层同心圆结构；为所述阳极提供正极电压包括：为阳极的每层提供不同的正极电压。
4.如权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，所述正极电压从所述同心圆结构的圆心向外依次减小。
5.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述阳极为惰性阳极。
6.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述阳极为网状结构。
7.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，在电镀前，将所述阳极竖直设置在所述电镀池中。
8.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，在电镀前，将所述阳极水平设置在所述电镀池中。
9.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，使所述阳极与所述半导体晶圆之间的距离沿中间区域向边缘区域依次增大包括：通过阳极夹持件使所述阳极与所述半导体晶圆待电镀面相对的面为弧面。
10.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，使所述阳极与所述半导体晶圆之间的距离沿中间区域向边缘区域依次增大包括：通过所述衬底固定装置使所述半导体晶圆待电镀面为弧面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司，未经南通富士通微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210027587.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
