[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201210027513.2 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102629557A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 野末胜;大下博史;增田博之;竹若博基 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)在半导体衬底的主表面之上的绝缘膜中形成布线沟槽；
(b)在所述半导体衬底的主表面之上形成阻挡金属膜，以便不填充其中的所述布线沟槽，并且在所述阻挡金属膜之上形成铜膜，以便填充其中的所述布线沟槽；
(c)通过使用第一抛光浆的CMP抛光所述铜膜，以移除所述铜膜在所述布线沟槽之外的部分；
(d)在步骤(c)之后，通过使用包含抗腐蚀剂的第二抛光浆的CMP来抛光所述阻挡金属膜，以移除所述阻挡金属膜在所述布线沟槽之外的部分；
(e)在步骤(d)之后，通过使用纯净水的CMP来抛光所述铜膜的表面和所述阻挡金属膜的表面；
(f)在步骤(e)之后，在向所述半导体衬底供应纯净水的同时清洁所述半导体衬底；以及
(g)在步骤(f)之后，在向所述半导体衬底供应化学液体的同时清洁所述半导体衬底，
其中在步骤(e)和步骤(f)之间，既不执行向所述半导体衬底的所述主表面上应用抗腐蚀剂，也不执行利用化学液体清洁所述半导体衬底，以及
其中，在步骤(f)和步骤(g)之间，不执行向所述半导体衬底的所述主表面上应用抗腐蚀剂。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中执行步骤(e)中的抛光达5秒到15秒。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中执行步骤(f)中的清洁达30秒到60秒。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中在步骤(g)中，使用除电解液之外的溶液作为所述化学液体。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中，在步骤(f)中，利用滚动刷来清洁所述半导体衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中步骤(f)包括以下步骤：
(f1)在供应纯净水的同时利用滚动刷清洁所述半导体衬底；以及
(f2)在步骤(f1)之后，在供应纯净水的同时利用笔刷清洁所述半导体衬底。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中步骤(g)包括以下步骤：
(g1)在供应第一化学液体的同时利用滚动刷清洁所述半导体衬底；以及
(g2)在供应第二化学液体的同时利用笔刷清洁所述半导体衬底。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述布线沟槽具有为70nm或者更小的最小沟槽宽度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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