[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201210027357.X | 申请日: | 2012-02-08 |
公开(公告)号: | CN102738403B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 郭镇浩;韩东垣 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
根据本发明的实施方式的方面总体上涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括由空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极形成的有机发光元件。在OLED显示器的情况下,电子和空穴在有机发射层中彼此结合,从而产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时,释放出能量从而发射光,且通过所发射的光显示图像。
OLED显示器是可制成重量轻且薄的平板显示器,这是因为其具有自发光特性且不需要独立的光源。特别地,OLED显示器呈现出诸如低功耗、高亮度、快响应速度之类的特性,且OLED显示器作为下一代显示装置正受到很多的关注。
有机发光元件由于内部和外部的因素可能劣化。关于内部因素,受来自作为电极材料的铟锡氧化物(ITO)的氧气气氛的影响、或受有机发射层的有机层组成部分之间的分界面反应的影响,有机发射层恶化。外部因素包括外部湿气和氧气以及紫外线。具体地,因为外部氧气和湿气会严重影响有机发光二极管的寿命,因此包装有机发光二极管以采用真空密闭的方式将其从外部密封起来,这是非常重要的。
在包装有机发光二极管时可以引入本领域技术人员所熟知的薄膜封装(TFE)技术。利用薄膜封装技术,无机层和有机层中的一个或多个交替地沉积在形成于基板的显示区域的有机发光元件上,从而利用薄膜封装层覆盖显示区域。在具有这种薄膜封装层的OLED显示器的情况下,如果基板由柔 性膜形成,则其可容易弯曲,且可形成微薄结构。
然而,薄膜封装层通过交替地层叠多个无机层和多个有机层而形成,因此从有机发射层发出的光会在穿过薄膜封装层时全部地或充分地反射。因此,从有机发射层发出的光由于全反射而无法发射到外部,从而劣化了光效。
在该背景部分中公开的上述信息仅仅是为了增强对所述技术背景的理解,因此其可包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的实施方式的方面致力于可提高光效的有机发光二极管(OLED)显示器。
根据示例性实施方式的OLED显示器包括:基板和位于所述基板上的有机发光元件;位于所述基板上且覆盖所述有机发光元件的薄膜封装层;和在所述薄膜封装层中分散的一个或多个散射材料。
所述薄膜封装层可包括有机层和无机层,且所述散射材料可在所述有机层和所述无机层中分散。
所述薄膜封装层可包括有机层和无机层,且所述散射材料可在所述有机层中分散。
所述有机层和所述无机层可包括多个交替布置的有机层和无机层,且所述散射材料可位于所述多个有机层中接近所述有机发光元件的下部有机层中。
所述有机层和所述无机层可包括多个交替布置的有机层和无机层,且所述散射材料在接近所述有机发光元件的下部有机层中比在所述多个有机层中接近外部环境的上部有机层中可形成的更多。
所述散射材料的直径可大于从所述有机发光元件发射的光的波长的1/8。
所述散射材料各自的直径可在100nm和500nm之间。
所述薄膜封装层和所述散射材料之间的折射率差可在0.2和1.7之间。
所述散射材料的折射率可在1.5和3.0之间。
根据示例性实施方式,光效可通过使散射材料在以大的折射率差形成薄膜封装层的有机层或无机层的至少一个中分散而提高。
附图说明
图1是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的像素电路的示意性电路图。
图2是图1的OLED显示器的截面图。
图3示出根据散射材料的光散射角。
图4是根据第二示例性实施方式的OLED显示器的截面图。
图5是根据第三示例性实施方式的OLED显示器的截面图。
图6是根据第四示例性实施方式的OLED显示器的截面图。
具体实施方式
下文将参照示出了本发明的示例性实施方式的附图更全面地描述本发明。正如本领域技术人员将认识到的那样,所描述的实施方式可以以各种不同的方式被修改,只要都不背离本发明的精神或范围。
图1是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的像素电路的示意性电路图,并且图2是图1的OLED显示器的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择