[发明专利]一种高压TiO2环形压敏电阻器的制备方法

权利要求书

1.一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，采用化学纯TiO₂为主原料，掺杂剂包括Nb、Ba、Sr、Ta、W、Bi、Si、Na、Sb、Mn、La、Al、Ca、Cu、Zr、Dy的氧化物和碳酸盐，经配料，球磨，干燥，造粒，成型，排胶，烧结，印电极制成。

2.根据权利要求1所述的一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述配料，球磨，干燥，造粒，成型，排胶，烧结，印电极的具体流程如下：

i.按照要求配比称量TiO₂及各种掺杂剂成分，采用行星式球磨以180～240r/min的速度球磨3～5h，使其充分混合均匀；

ii.将步骤i得到的湿料于100～120℃下干燥12～16h，加入黏合剂进行造粒，成型；

iii.将步骤ii得到的成型片在350～650℃下保温2～4h进行排胶；

iv.将步骤iii得到的排胶片在1200～1500℃下烧结1～3h；

v.将步骤iv得到的烧成片印电极，既制得所述的环形压敏电阻器。

3.根据权利要求2所述的一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤ii中的样品成型密度为1.8～3.8g/cm³，并且最佳成型密度出现在2.4～3.0g/cm³之间。

4.根据权利要求2所述的一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤iv中的最佳烧结温度为1280～1400摄氏度。

5.根据权利要求1或2所述的一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述压敏电阻器在100V～600V之间的压敏电阻通过调节烧结温度来实现。

6.根据权利要求1或2所述的一种高压TiO₂环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤iv采用同成分粉料在1500℃烧结后所得的“隔离粉”铺垫。