[发明专利]平版印刷版载体和预制感光版有效
申请号: | 201210026895.7 | 申请日: | 2012-01-29 |
公开(公告)号: | CN102616049A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 黑川真也;宫川侑也;田川义治;西野温夫;泽田宏和 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | B41N1/08 | 分类号: | B41N1/08;G03F7/11;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平版印刷 载体 预制 感光 | ||
1.一种平版印刷版载体,所述平版印刷版载体包括:铝板;和阳极氧化膜,所述阳极氧化膜在所述铝板的表面形成并且具有微孔,所述微孔从所述阳极氧化膜的与所述铝板相反的表面在所述阳极氧化膜的深度方向上延伸,
其中所述微孔的每一个具有大直径部分和树枝状小直径部分,所述大直径部分从所述阳极氧化膜的所述表面延伸至5至60nm的深度A,所述树枝状小直径部分与所述大直径部分的底部连通,并且分支且从所述小直径部分与所述大直径部分之间的连通位置延伸至900至2,000nm的深度,
其中在所述阳极氧化膜的所述表面的所述大直径部分的孔平均直径为10至100nm,并且所述大直径部分的深度A与所述大直径部分的孔平均直径的比率(深度A/孔平均直径)为0.1至4.0,
其中所述小直径部分在所述连通位置的连通位置平均直径大于0但小于20nm,并且
其中所述小直径部分的所述连通位置平均直径与所述大直径部分的所述孔平均直径的比率(连通位置平均直径/孔平均直径)为至多0.85。
2.根据权利要求1所述的平版印刷版载体,其中在所述小直径部分的底部与所述铝板的所述表面之间的所述阳极氧化膜的厚度为至少20nm。
3.根据权利要求1或2所述的平版印刷版载体,其中所述阳极氧化膜在所述连通位置的横截面中的小直径部分密度A为100至3,000pcs/μm2。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的平版印刷版载体,其中所述阳极氧化膜在所述小直径部分的深度方向上的中心位置的横截面中的小直径部分密度B大于所述阳极氧化膜在所述连通位置的横截面中的小直径部分密度A,且所述密度B为300至9,000pcs/μm2。
5.一种预制感光版,所述预制感光版包括:根据权利要求1至4中任一项所述的平版印刷版载体;和在所述平版印刷版载体上形成的图像记录层。
6.一种平版印刷版载体,所述平版印刷版载体包括:铝板;和阳极氧化膜,所述阳极氧化膜在所述铝板的表面形成并且具有微孔,所述微孔从所述阳极氧化膜的与所述铝板相反的表面在所述阳极氧化膜的深度方向上延伸,
其中所述微孔的每一个具有大直径部分和小直径部分,所述大直径部分从所述阳极氧化膜的所述表面延伸至5至60nm的深度A,所述小直径部分与所述大直径部分的底部连通,且从所述小直径部分与所述大直径部分之间的连通位置延伸至900至2,000nm的深度,
其中在所述阳极氧化膜的所述表面的所述大直径部分的孔平均直径为10至60nm,并且所述深度A与所述孔平均直径的比率(深度A/孔平均直径)为0.1至4.0,
其中所述小直径部分在所述连通位置的连通位置平均直径大于0但小于20nm,
其中所述小直径部分的所述连通位置平均直径与所述大直径部分的孔平均直径的比率(连通位置平均直径/孔平均直径)为至多0.85,并且
其中在所述小直径部分的底部与所述铝板的所述表面之间的所述阳极氧化膜的厚度为至少25nm。
7.根据权利要求6所述的平版印刷版载体,其中所述大直径部分的所述孔平均直径为10至50nm。
8.根据权利要求6或7所述的平版印刷版载体,其中所述深度A为10至50nm。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的平版印刷版载体,其中所述深度A与所述孔平均直径的比率为至少0.30但小于3.0。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的平版印刷版载体,其中所述微孔以100至3,000pcs/μm2的密度形成。
11.一种预制感光版,所述预制感光版包括:根据权利要求6至10中任一项所述的平版印刷版载体;和在所述平版印刷版载体上形成的图像记录层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210026895.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高跟鞋后跟套子
- 下一篇:烟道气的光学监测和控制