[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上依次沉积透明导电层和第一金属层，利用第一多段式调整光罩对所述透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极和共通电极，所述栅极包括透明导电层和第一金属层，所述共通电极由所述透明导电层形成；

在所述基板上继续沉积栅绝缘层、半导体层和第二金属层，利用第二多段式调整光罩对半导体层和第二金属层进行图案化，在所述共通电极对应的栅绝缘层上由半导体层和第二金属层形成像素电极，同时保留位于所述栅极上方的半导体层，并在保留的半导体层上由第二金属层形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源极、漏极和像素电极后，所述方法还包括以下步骤：

在所述像素电极、以及构成薄膜晶体管的所述源极、漏极和半导体层上沉积一平坦化层，所述平坦化层由透明绝缘材质形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一多段式调整光罩和所述第二多段式调整光罩采用灰阶色调光罩、堆栈图层光罩或半色调光罩。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层和第一金属层通过溅射法依次沉积形成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层和半导体层通过化学气相沉积法依次沉积形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层通过溅射法依次沉积形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层依次由第一铝金属层和第一钼金属层组合形成，所述第二金属层依次由第二钼金属层、第二铝金属层以及第三钼金属层组合形成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第一多段式调整光罩对透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极和共通电极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第一金属层进行湿法刻蚀，使用草酸对所述透明导电层进行湿法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第二多段式调整光罩形成源极、漏极以及像素电极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第二金属层进行湿法刻蚀，使用反应离子刻蚀对所述半导体层进行干法刻蚀。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

多个薄膜晶体管，设置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极、所述栅绝缘层、所述半导体层、所述源极及漏极是依序形成于所述基板上；所述栅极包括透明导电层和第一金属层，所述源极及所述漏极由半导体层上的第二金属层形成；

共通电极，由所述基板上的透明导电层形成；

多个像素电极，由所述共通电极对应的栅绝缘层上的半导体层和第二金属层形成，并与所述薄膜晶体管的所述漏极连接。