[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及液晶生产技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

【背景技术】

随着液晶显示器的不断推广和普及，对液晶显示器的显示性能提出了很高的要求。边界电场切换技术(Fringe FieldSwitching，FFS)由于具有高穿透性以及大视角的特征，被越来越多地应用在液晶显示领域。

在液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板制程中，需使用多道光罩来进行光刻制程(Photo-litho graphy)，然而，光罩相当昂贵，光罩次数越多则薄膜晶体管制程所需的成本越高，且增加制程时间及复杂度。

同样地，现有技术中通过多道光罩(譬如四道光罩)形成FFS型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的工艺制程较为复杂，制作难度和制作成本较高，增加了液晶显示器的生产难度。

故，有必要提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的一个目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，以解决现有技术中通过多道光罩(譬如四道光罩)形成FFS型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的工艺制程较为复杂，制作难度和制作成本较高，增加了液晶显示器的生产难度的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层，利用第一多段式调整光罩对所述第一透明导电层和第一金属层进行图案化，形成栅极和共通电极，所述栅极由第一透明导电层和第一金属层组合形成，所述共通电极由第一透明导电层形成；

在所述基板上继续沉积栅绝缘层和半导体层，利用第一光罩对所述半导体层进行图案化，保留位于所述栅极上方的半导体层；

在所述基板上继续沉积第二透明导电层和第二金属层，利用第二多段式调整光罩来图案化第二透明导电层和第二金属层，在半导体层上形成包括第二透明导电层和第二金属层的源极和漏极，在所述共通电极对应的栅绝缘层上由所述第二透明导电层形成像素电极。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在形成所述源极、漏极和像素电极后，所述方法还包括以下步骤：

在所述像素电极、以及构成薄膜晶体管的所述源极、漏极和半导体层上沉积一平坦化层，所述平坦化层由透明绝缘材质形成。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第一多段式调整光罩和所述第二多段式调整光罩采用灰阶色调光罩、堆栈图层光罩或半色调光罩。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第一透明导电层和所述第一金属层通过溅射法依次沉积形成。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述栅绝缘层和所述半导体层通过化学气相沉积法依次沉积形成。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第二透明导电层和所述第二金属层通过溅射法依次沉积形成。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第一金属层依次由第一铝金属层和第一钼金属层组合形成，所述第二金属层依次由第二钼金属层、第二铝金属层以及第三钼金属层组合形成。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，利用所述第一多段式调整光罩形成栅极及共通电极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第一金属层进行湿法刻蚀，使用草酸对所述第一透明导电层进行湿法刻蚀。

在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，利用所述第二多段式调整光罩在半导体层上形成源极、漏极以及像素电极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第二金属层进行湿法刻蚀，使用草酸对所述第二透明导电层进行湿法刻蚀。

本发明的另一个目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，以解决现有技术中通过多道光罩(譬如四道光罩)形成FFS型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的工艺制程较为复杂，制作难度和制作成本较高，增加了液晶显示器的生产难度的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

多个薄膜晶体管，设置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极、所述栅绝缘层、所述半导体层、所述源极及漏极是依序形成于所述基板上；所述栅极包括第一透明导电层和第一金属层，所述源极及所述漏极包括第二透明导电层和第二金属层；

共通电极，由所述基板上的第一透明导电层形成；