[发明专利]具有透明衬底和穿衬底通孔的光传感器有效
申请号: | 201210025794.8 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102623469A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 尼科尔·D·谢内斯;阿尔卡迪·V·萨莫伊洛夫;王至海;乔伊·T·琼斯 | 申请(专利权)人: | 美士美积体产品公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 透明 衬底 传感器 | ||
1.一种光传感器,其包括:
衬底,其具有表面;
一个或一个以上光电检测器,其形成于所述衬底中,所述一个或一个以上光电检测器经配置以检测光且响应于所述光而提供信号;
IR抑制滤光片,其定位在所述表面上方,且经配置以过滤红外光,以至少大体上阻挡红外光,使其无法到达所述一个或一个以上光电检测器;
缓冲层,其形成于所述衬底的所述表面上方,以向一个或一个以上色通滤光片提供绝缘;
透明衬底,其定位于所述IR抑制滤光片上方;以及
穿衬底通孔,其形成于所述衬底中,且经配置以提供与所述一个或一个以上光电检测器的电互连。
2.根据权利要求1所述的光传感器,其进一步包括一个或一个以上色通滤光片,所述色通滤光片形成于接近所述IR抑制滤光片处,且经配置以过滤可见光以使在有限波长谱内的光通过到所述一个或一个以上光电检测器。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其进一步包括:
粘合层,其形成于所述表面上方,用于将所述一个或一个以上色通滤光片固持在适当位置中。
4.根据权利要求3所述的光传感器,其中一个或一个以上彩色滤光片形成于所述粘合层上,所述缓冲层形成于所述表面上方,使得所述缓冲层大体上包封所述一个或一个以上色通滤光片。
5.根据权利要求2所述的光传感器,其中所述一个或一个以上光电检测器包括透明光电检测器,所述透明光电检测器经配置以接收未由色通滤光片过滤的光以检测周围光环境。
6.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述一个或一个以上光电检测器包括光电二极管或光电晶体管中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的光传感器,其进一步包括暗电流传感器,所述暗电流传感器经配置以提供暗电流。
8.一种光传感器,其包括:
衬底,其具有表面;
一个或一个以上光电检测器,其形成于所述衬底中,且经配置以检测光且响应于所述光而提供信号;
一个或一个以上色通滤光片,其定位于所述表面上方,且经配置以过滤可见光以使在有限波长谱内的光通过到所述一个或一个以上光电检测器;
第一缓冲层,其定位于所述表面上方,使得所述缓冲层至少大体上包封所述一个或一个以上色通滤光片;
IR抑制滤光片,其安置于所述缓冲层上方,且经配置以过滤红外光,以至少大体上阻挡红外光,使其无法到达多个光电检测器;
第二缓冲层,其定位于所述IR抑制滤光片上方;
透明衬底,其定位于所述第二缓冲层上方;以及
穿衬底通孔,其形成于所述衬底中,且经配置以提供与所述一个或一个以上光电检测器的电互连。
9.根据权利要求8所述的光传感器,其中所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包括苯并环丁烯BCB聚合物。
10.根据权利要求8所述的光传感器,其中所述一个或一个以上光电检测器中的至少一者包括透明光电检测器,所述透明光电检测器经配置以接收未由所述一个或一个以上色通滤光片过滤的光以检测周围光环境。
11.根据权利要求8所述的光传感器,其中所述透明衬底经由所述第二缓冲层接合到IR抑制滤光片。
12.根据权利要求8所述的光传感器,其进一步包括安置在所述表面与所述一个或一个以上色通滤光片之间的粘合层。
13.根据权利要求8所述的光传感器,其进一步包括:
绝缘层,其安置于所述表面上方,使得所述绝缘层大体上包封一个或一个以上彩色滤光片、所述缓冲层以及所述IR抑制滤光片。
14.根据权利要求8所述的光传感器,其进一步包括暗电流传感器,所述暗电流传感器经配置以提供暗电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的