[发明专利]液处理装置及液处理方法有效
申请号: | 201210025741.6 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102629563A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种液处理装置,其特征在于,
该液处理装置包括:
处理室,其在内部设有用于保持基板的基板保持部及配置在该基板保持部的周围的杯状件;
喷嘴,其用于向保持于上述基板保持部的基板供给处理液;
杯状件清洗部,其通过向上述杯状件的上部供给清洗液来对该杯状件进行清洗,
在上述杯状件的上部形成有凹部,上述杯状件清洗部向上述杯状件的上部的上述凹部供给清洗液。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
该凹部由第1倾斜部分和第2倾斜部分形成,第1倾斜部分从凹部的内周缘到凹部的中途部分,第1倾斜部分以其高度随着从凹部的内周缘朝向外周缘而变小的方式倾斜,第2倾斜部分从凹部的中途部分到凹部的外周缘,第2倾斜部分以其高度随着从凹部的内周缘朝向外周缘而变大的方式倾斜,上述杯状件清洗部向上述杯状件的上部的上述中途部分供给清洗液。
3.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述杯状件的上部中,其内周缘的高度大于其外周缘的高度,由上述杯状件清洗部供给到上述杯状件的上部的上述凹部中的清洗液被从上述杯状件的上部的外周缘排出。
4.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
在上述杯状件的上部中,其内周缘的高度小于其外周缘的高度,由上述杯状件清洗部供给到上述杯状件的上部的上述凹部中的清洗液被从上述杯状件的上部的内周缘排出。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
在铅垂方向上重叠配置地设有多个上述杯状件,
上述杯状件清洗部对上述多个杯状件中的最上层的杯状件进行清洗。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
在上述杯状件的内侧设有与用于保持基板的上述基板保持部一同旋转的旋转杯状件,利用随着该旋转杯状件的旋转而产生的回旋空气流使清洗液遍布于上述杯状件的上部的上述凹部的整个区域。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
上述杯状件清洗部具有从上方向上述杯状件的上部的上述凹部中供给清洗液的清洗液供给喷嘴。
8.根据权利要求6所述的液处理装置,其特征在于,
在上述旋转杯状件的外周设有向外方突出并呈圆周状延伸的圆周突起,利用上述旋转杯状件的圆周突起产生回旋空气流。
9.一种液处理方法,其特征在于,
该液处理方法包括以下工序:
利用设置在处理室的内部的基板保持部将基板保持成水平状态;
利用上述基板保持部使基板旋转,利用进入到上述处理室内的喷嘴支承臂的喷嘴向由上述基板保持部保持而旋转的基板供给处理液;
通过在上述处理室内向形成在杯状件的上部的凹部供给清洗液来对该杯状件进行清洗。
10.根据权利要求9所述的液处理方法,其特征在于,
在上述杯状件的上部中,其内周缘的高度小于其外周缘的高度,
在对上述杯状件进行清洗的工序中,被供给到上述杯状件的上部的上述凹部中的清洗液被从上述杯状件的上部的内周缘排出,利用该排出来的清洗液对上述杯状件的内周面进行清洗。
11.根据权利要求9所述的液处理方法,其特征在于,
上述杯状件的上部中,其内周缘的高度大于其外周缘的高度,
在对上述杯状件进行清洗的工序中,被供给到上述杯状件的上部的上述凹部中的清洗液被从上述杯状件的上部的外周缘排出。
12.根据权利要求1所述的液处理方法,其特征在于,
在上述杯状件的内侧设有与用于保持基板的上述基板保持部一同旋转的旋转杯状件,
在上述杯状件的清洗工序中,利用随着上述旋转杯状件的旋转而产生的回旋空气流使清洗液遍布于上述杯状件的上部的上述凹部的整个区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造