[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上沉积第一金属层，并利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化，形成栅极；

在所述基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层，利用第二光罩对所述半导体层进行图案化，保留位于所述栅极上方的半导体层；

在所述基板上依次沉积透明导电层和第二金属层，利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层，在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极，在栅绝缘层上由所述透明导电层形成像素电极和共通电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源极、漏极、像素电极和共通电极后，所述方法还包括以下步骤：

在所述素电极及所述共通电极，以及构成薄膜晶体管的所述源极、漏极和半导体层上沉积一平坦化层，所述平坦化层由透明绝缘材质形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述多段式调整光罩为灰阶色调光罩、堆栈图层光罩或半色调光罩。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层通过溅射法沉积形成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层和所述半导体层通过化学气相沉积法依次沉积形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层和所述第二金属层通过溅射法依次沉积形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层依次由第一铝金属层和第一钼金属层组合形成，所述第二金属层依次由第二钼金属层、第二铝金属层以及第三钼金属层组合形成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化形成栅极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第一金属层进行湿法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用多段式调整光罩在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极的过程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第二金属层进行湿法刻蚀，使用反应离子刻蚀方法对所述透明导电层进行干法刻蚀；

利用多段式调整光罩在栅绝缘层上由所述透明导电层形成像素电极和共通电极的过程中，使用反应离子刻蚀方法对所述透明导电层进行干法刻蚀。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

多个薄膜晶体管，设置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极、所述栅绝缘层、所述半导体层及所述源极及漏极是依序形成于所述基板上，所述源极及所述漏极包括透明导电层和金属层；

多个像素电极，形成于所述栅绝缘层上，并与所述薄膜晶体管的所述漏极的连接；以及

多个共通电极，与所述多个像素电极相互交叉形成于所述栅绝缘层上。