[发明专利]光接收器

权利要求书

1.一种光接收器，包括：

输入波导，形成于基底上；

光电二极管，形成于所述基底上；以及

锥形波导，形成于所述基底上，连接在所述输入波导和所述光电二极管之间，并且随着所述锥形波导从与所述输入波导相连的输入端向与所述光电二极管相连的输出端延伸，所述锥形波导的宽度增加，

其中，所述锥形波导的半发散角配置为：当从所述输入波导接收光信号时使高阶模激活，以及

所述光电二极管具有恒定的宽度，或随着所述光电二极管从所述锥形波导的输出端延伸出去，所述光电二极管的宽度增加，所述光电二极管的半发散角等于或小于所述锥形波导的半发散角。

2.一种光接收器，包括：

输入波导，形成于基底上；

光电二极管，形成于所述基底上；以及

锥形波导，形成于所述基底上，连接在所述输入波导和所述光电二极管之间，并且随着所述锥形波导从与所述输入波导相连的输入端向与所述光电二极管相连的输出端延伸，所述锥形波导的宽度增加，

其中，所述锥形波导的半发散角θ在以下范围内：

θ≥-0.08Wo²+2.37Wo-11.5，以及

θ≤-0.04Wo²+1.16Wo+0.0145

其中，Wo[μm]表示所述锥形波导在所述锥形波导与所述光电二极管间的接合处的宽度，并且θ[°]表示所述半发散角，以及

所述光电二极管在与所述锥形波导的接合处的宽度等于或大于所述锥形波导在输出端的宽度，随着所述光电二极管从所述锥形波导的所述输出端延伸出去，所述光电二极管的宽度增加，并且具有以下范围内的半发散角θpd：

0≤θpd≤-0.04Wo²+1.16Wo+0.0145。

3.根据权利要求1所述的光接收器，其中，所述光电二极管在所述锥形波导与所述光电二极管之间的接合处的宽度大于所述锥形波导在所述输出端的宽度，其中较大的宽度是由从所述中心线至所述多个最外侧边缘中的任一个测得，并且从所述中心线至所述多个最外侧边缘中任一个的宽度的增量在0.1微米至0.3微米范围内。

4.根据权利要求1所述的光接收器，其中，所述光电二极管在所述锥形波导与所述光电二极管之间的接合处的宽度等于所述锥形波导在所述输出端的宽度。

5.根据权利要求1所述的光接收器，其中，所述锥形波导在所述输入波导和所述锥形波导之间的接合处的宽度大于所述输入波导的宽度。

6.根据权利要求5所述的光接收器，其中，所述输入波导的中心与所述锥形波导在所述锥形波导的输入端的中心平齐，并且所述锥形波导的宽度在所述输入波导的宽度的1.4倍至2.2倍的范围内。

7.根据权利要求1所述的光接收器，其中，所述锥形波导在所述输出端的宽度在所述输入波导的宽度的2倍至6倍的范围内。

8.一种光接收器，包括：

混合波导，形成于基底上，具有两个输入端口，每个所述输入端口设计成接收相移键控光信号或本地振荡器光，并且具有两个或多个输出端口，每个所述输出端口设计成发射通过转换所述相移键控光信号所生成的强度调制光信号，

两个或多个输入波导，形成于所述基底上，每个所述输入波导连接所述混合波导的多个输出端口中的一个，

多个光电二极管，形成于所述基底上，每个所述光电二极管耦接至所述多个输入波导中的一个，以及

多个锥形波导，形成于所述基底上，连接在所述输入波导和相关的光电二极管之间，

其中，每个所述锥形波导的半发散角配置为：当从相关的输入波导接收光信号时使高阶模激活，以及

每个所述光电二极管具有恒定的宽度，或随着所述光电二极管从所述锥形波导的输出端延伸出去，所述光电二极管的宽度增加，所述光电二极管的半发散角等于或小于所述锥形波导的半发散角。

9.根据权利要求8所述的光接收器，还包括跨阻抗放大器，设计成从所述光电二极管接收电信号。