[发明专利]金属氧化物半导体场效应管的制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：

在基底上形成栅极并在栅极靠近漏极区域的一侧形成离子注入屏蔽侧墙；

以所述栅极和离子注入屏蔽侧墙为掩膜，对所述基底进行重掺杂离子注入，形成源极和漏极；

去除所述离子注入屏蔽侧墙；

对所述基底进行轻掺杂离子注入，在所述栅极和漏极之间的基底中形成轻掺杂区域。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，形成栅极和离子注入屏蔽侧墙的步骤包括：

在基底上形成图形化的介质层；

在所述图形化的介质层和基底上沉积离子注入屏蔽层薄膜；

利用化学机械研磨工艺将所述离子注入屏蔽层薄膜平坦化，直至暴露出图形化的介质层的表面；

刻蚀去除部分所述离子注入屏蔽层薄膜，形成离子注入屏蔽侧墙；

在所述图形化的介质层暴露出来的基底上形成栅极氧化层；

在栅极氧化层、图形化的介质层和离子注入屏蔽侧墙上形成多晶硅薄膜；

利用化学机械研磨工艺将多晶硅薄膜平坦化直至露出图形化的介质层顶面，以在所述栅极氧化层上形成栅极；以及

去除所述图形化的介质层。

3.如权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为二氧化硅，所述离子注入屏蔽层薄膜的材质为氮化硅。

4.如权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为氮化硅，所述离子注入屏蔽层薄膜的材质为二氧化硅。

5.如权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述离子注入屏蔽侧墙的宽度为5～200nm。

6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，对所述基底进行轻掺杂离子注入之后，还包括在所述栅极两侧形成金属硅化物阻挡层。

7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，对所述基底进行重掺杂离子注入的步骤中，注入离子为磷或者砷时，注入能量为10～100kev，注入剂量为10¹⁴/cm²～10¹⁶/cm²。

8.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，对所述基底进行重掺杂离子注入的步骤中，注入离子为硼或者氟化硼或者铟时，注入能量为10～100kev，注入剂量为10¹⁴/cm²～10¹⁶/cm²。

9.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，对所述基底进行轻掺杂离子注入的步骤中，注入离子为磷或者砷时，注入能量为1～50kev，注入剂量为10¹³/cm²～10¹⁵/cm²。

10.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，对所述基底进行轻掺杂离子注入的步骤中，注入离子为硼或者氟化硼或者铟时，注入能量为1～50kev，注入剂量为10¹³/cm²～10¹⁵/cm²。