[发明专利]一种焦面变化测量装置与方法有效

专利信息
申请号: 201210024750.3 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN103246169A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 王献英;李术新;段立峰 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;G01M11/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 变化 测量 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种焦面变化测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)进入参考状态,标定参考曝光焦面的位置;更新基石相对所述参考曝光焦面的倾斜;进行参考掩模对准,获得参考对准焦面变化量,计算参考对准焦面位置;工件台基准板垂向运动到参考位置,调焦调平传感器测量所述工件台基准板上参考调平点的高度及倾斜值;

2)启动曝光流程,在基底全局调平之前,计算所述调焦调平传感器零平面的漂移量;进行实际掩模对准,计算实际对准焦面变化量,获得实际曝光焦面的位置。

2.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述参考状态下的掩模对准过程与所述曝光流程中的掩模对准过程完全相同。

3.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述参考状态是硬件集成装调完,且分系统测校完成,开始整机软件集成的状态。

4.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,在所述参考掩模对准过程和所述实际掩模对准过程中,所述工件台垂向由工件台垂向测量传感器控制。

5.根据权利要求4所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述参考对准焦面位置和所述实际对准焦面位置描述在所述工件台垂向测量坐标系中,即所述参考对准焦面位置和所述实际对准焦面位置是相对所述工件台垂向测量传感器的零平面的高度及倾斜。

6.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述参考对准焦面的位置等于所述参考状态之前标定的对准焦面位置与参考对准焦面变化量之和。

7.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述计算调焦调平传感器零平面的漂移量具体为所述工件台基准板垂向运动到所述调焦调平传感器可以测量到的实际位置,所述调焦调平传感器测量所述工件台基准板上实际调平点的高度及倾斜值,所述实际位置与参考位置的垂向位置相同,所述实际调平点与参考调平点的水平位置相同,所述实际调平点与参考调平点的高度值和倾斜值之差反映所述调焦调平传感器零平面的漂移量。

8.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,将所述参考状态下获得的各个参数作为机器常数进行保存。

9.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,实际曝光焦面的位置为参考曝光焦面位置与调焦调平传感器零平面的漂移量及实际曝光焦面变化量之和。

10.根据权利要求9所述的焦面变化测量方法,其特征在于,所述实际曝光焦面的变化量等于掩模对准计算得到的实际对准焦面变化量。

11.根据权利要求1所述的焦面变化测量方法,其特征在于,还包括步骤3):

在所述曝光流程中,更换其它基底后,在曝光前重复步骤2)。

12.一种焦面变化测量装置,包括光学系统,投影物镜,掩模台,调焦调平传感器,工件台,工件台基准板,工件台垂向测量传感器,基石,其特征在于,所述焦面变化测量装置采用如权利要求1至11任一项所述焦面变化测量方法进行测量。

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