[发明专利]保证膜层沉积质量的方法、膜层沉积设备的每日监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体膜层沉积工艺，尤其涉及保证膜层沉积质量的方法。

背景技术

膜层沉积是一种极其重要的半导体加工工艺。在膜层沉积过程中，通常认为比较重要的因素有反应气体、各反应气体的流量比、辅助气体(如惰性气体)、反应室温度、反应室预定压力等等。当沉积的膜层达不到要求时，通常也会从这几个因素着手对工艺进行改进。但是，这种改进费时费力，并且也不是总能达到要求。

因而，有必要对先前的技术进行改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种保证膜层沉积质量的方法。

本发明的另一目的是提供一种膜层沉积设备的每日监控方法，以保证沉积膜层的质量。

为实现上述目的，本发明提供一种保证膜层沉积质量的方法，其包括每天进行对膜层沉积设备进行气密性检测的步骤；其中，所述气密性检测的步骤包括：

对所述膜层沉积设备进行抽真空；

抽真空结束后的给定时间段内，使所述膜层沉积设备处于气密状态，检测膜层沉积设备的气压变化状况，记录下该时间段内的气压最大值；

若所述气压最大值大于预定值，则将所述膜层沉积设备归为需维修设备。

可选的，所述膜层沉积设备为CVD设备或PVD设备。

可选的，所述给定时间段为60秒。

可选的，所述预定值根据经验或实验设定。

可选的，所述保证膜层沉积质量的方法另包括：

将根据气密性检测步骤获得的每日的气压最大值制作成图表。

可选的，若连续两天的检测得的气压最大值均大于所述预定值的80％，则将所述膜层沉积设备归为需重点监控设备。

可选的，所述气密性检测的步骤在日常的Daily Monitor步骤中进行。

为实现上述目的，本发明另提供一种膜层沉积设备的每日监控方法，所述每日监控方法在每天的正式量产前进行，其利用空白晶片在膜层沉积设备中进行试生产以验证效果，其中，所述每日监控方法包括对膜层沉积设备进行气密性检测的步骤，所述气密性检测的步骤包括：

对所述膜层沉积设备进行抽真空；

抽真空结束后的给定时间段内，使所述膜层沉积设备处于气密状态，检测膜层沉积设备的气压变化状况，记录下该时间段内的气压最大值；

若所述气压最大值大于预定值，则将所述膜层沉积设备归为需维修设备。

可选的，所述膜层沉积设备为CVD设备。

可选的，所述给定时间段为60秒。

可选的，所述预定值根据经验或实验设定。

可选的，所述气密性检测的步骤另包括：

将根据气密性检测步骤获得的每日的气压最大值制作成图表。

可选的，所述气密性检测的步骤另包括：

若连续两天的检测得的气压最大值均大于所述预定值的80％，则将所述膜层沉积设备归为需重点监控设备。

与现有技术相比，本发明的方法改善了沉积膜层的质量，提高了产品合格率，且简单易行，几乎不需增加成本。

附图说明

通过参照附图更详细地描述示范性实施例，以上和其它的特征以及优点对于本领域技术人员将变得更加明显，附图中：

图1是本发明实施例所应用的CVD设备的结构示意图。

图2是本发明保证膜层沉积质量的方法的实施例的流程图。

具体实施方式

发明人提出了一种保证或改进膜层沉积质量的方法一每天对膜层沉积设备的反应腔室进行气密性检测，若检测合格，则进行膜层沉积步骤，若检测不合格，则将所述膜层沉积设备归为需维修设备，并安排维修人员对设备气密性进行改进。

在具体实施中，所述气密性检测的步骤可以包括：

对膜层沉积设备进行抽真空；

抽真空结束后的给定时间段内，使所述膜层沉积设备处于气密状态，检测膜层沉积设备的气压变化状况，记录下该时间段内的气压最大值；

若所述气压最大值大于预定值，则将所述膜层沉积设备归为需维修设备。

所述的膜层沉积设备可以为CVD设备或PVD设备。

所述的给定时间段可以根据具体应用环境进行设定，例如可以为60秒、120秒、10分钟、30分钟等等。当然，设定的时间越长，测量结果越准确，只是过长的测量时间不利于生产进度，因而测量时间尽量不超过2小时。实践表明，同样一台CVD设备，每天都进行气密性检测的状况下，其半年内所产生的废品与半个月检测一次的状况下相比，减少了20％到30％。