[发明专利]一种方波发生器电路

权利要求书

1.一种方波发生器电路，与直流电源相连，其特征在于，所述方波发生器电路包括：

第一电流镜、第二电流镜、第一反相器、第二反相器、第三反相器和第四反相器、电容C1和电容C2；

所述第一电流镜的第一输入端同时与所述直流电源的输出端、所述电容C1的正极、所述第二电流镜的第一输入端、所述第一反相器的第一输入端、所述第三反相器的第一输入端、所述第四反相器的第一输入端相连，所述第一电流镜的第二输入端同时与所述电容C1的负极和所述第一反相器的第二输入端相连，所述第一电流镜的输出端接地，所述第一反相器的第一输出端同时与所述第二反相器的第一输入端和所述第三反相器的第二输入端相连，所述第二反相器的第二输入端同时与所述第二电流镜的第二输入端和所述电容C2的正极相连，所述第二电流镜的输出端、所述电容C2的负极、所述第二反相器的第一输出端、所述第三反相器的第一输出端和所述第四反相器的第一输出端都接地，所述第三反相器的第二输出端接所述第四反相器的第二输入端，所述第一反相器的第二输出端、所述第二反相器的第二输出端和所述第四反相器的第二输出端相连，输出方波信号。

2.如权利要求1所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第一电流镜包括基准电流源T1、NMOS管N1和NMOS管N2；

所述基准电流源I1的输入端为所述第一电流镜的第一输入端，所述基准电流源I1的输出端接所述NMOS管N1的漏极，所述NMOS管N1的栅极和漏极共接后与所述NMOS管N2的栅极相连，所述NMOS管N2的漏极为所述第一电流镜的第二输入端，所述NMOS管N1的源极与所述NMOS管N2的源极相连为所述第一电流镜的输出端。

3.如权利要求1所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第二电流镜包括基准电流源I2、PMOS管P1和PMOS管P2；

所述PMOS管P1的源极和所述PMOS管P2的源极相连作为所述第二电流镜的第一输入端，所述PMOS管P1的栅极和漏极共接后与所述PMOS管P2的栅极相连，所述PMOS管P1的漏极接所述基准电流源I2的输入端，所述基准电流源I2的输出端为所述第二电流镜的输出端，所述PMOS管P2的漏极为所述第二电流镜的第二输入端。

4.如权利要求1-3任一项所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第一反相器包括PMOS管MP1和NMOS管MN1，所述PMOS管MP1的源极为所述第一反相器的第一输入端，所述PMOS管MP1的漏极与所述NMOS管MN1的漏极相连作为所述第一反相器的第二输入端，所述NMOS管MN1的源极为所述第一反相器的第一输出端，所述PMOS管MP1的栅极与所述NMOS管MN1的栅极相连作为所述第一反相器的第二输出端。

5.如权利要求1-3任一项所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第二反相器包括PMOS管MP2和NMOS管MN2，所述PMOS管MP2的源极为所述第二反相器的第一输入端，所述PMOS管MP2的漏极与所述NMOS管MN2的漏极相连作为所述第二反相器的第二输入端，所述NMOS管MN2的源极为所述第二反相器的第一输出端，所述PMOS管MP2的栅极与所述NMOS管MN2的栅极相连作为所述第二反相器的第二输出端。

6.如权利要求1-3任一项所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第三反相器包括PMOS管MP3和NMOS管MN3，所述PMOS管MP3的源极为所述第三反相器的第一输入端，所述PMOS管MP3的栅极与所述NMOS管MN3的栅极相连作为所述第三反相器的第二输入端，所述NMOS管MN3的源极为所述第三反相器的第一输出端，所述PMOS管MP3的漏极与所述NMOS管MN3的漏极相连作为所述第三反相器的第二输出端。

7.如权利要求1-3任一项所述的方波发生器电路，其特征在于，所述第四反相器包括PMOS管MP4和NMOS管MN4，所述PMOS管MP4的源极为所述第四反相器的第一输入端，所述PMOS管MP4的栅极与所述NMOS管MN4的栅极相连作为所述第四反相器的第二输入端，所述NMOS管MN4的源极为所述第四反相器的第一输出端，所述PMOS管MP4的漏极与所述NMOS管MN4的漏极相连作为所述第四反相器的第二输出端。