[发明专利]分析装置、传感器检查装置及检查方法

权利要求书

1.一种分析装置，该分析装置包括：

传感器部，该传感器部包括试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的第一电极和第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触；

电压施加单元，该电压施加单元用于在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应；

电流测量单元，该电流测量单元用于测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及

确定单元，该确定单元用于基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流测量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流测量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。

2.根据权利要求1所述的分析装置，其中，所述第一物理量是直到所述第一电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第一特定范围中的值为止的第一时间，所述第二物理量是直到所述第二电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第二特定范围中的值为止的第二时间。

3.根据权利要求1所述的分析装置，该分析装置还包括校正单元，该校正单元在所述确定单元确定所述外层膜中出现了缺陷时校正由所述电流测量单元测量出的所述电流值，所述校正单元基于所述第一物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第一关系和所述第二物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第二关系中的至少一个来执行校正。

4.根据权利要求3所述的分析装置，其中，所述校正单元基于所述第一关系和所述第二关系中的至少一个来估计所述缺陷率，并且基于所述外层膜的所述缺陷率与从下述传感器部测量出的所述电流值之间的预定关系来校正由所述电流测量单元测量出的所述电流值，其中该传感器部设置有具有与所述缺陷率相对应的缺陷的外层膜。

5.根据权利要求4所述的分析装置，其中，当所述校正单元基于所述第一关系和所述第二关系这两者来估计所述缺陷率时，所述校正单元计算基于所述第一关系估计出的第一缺陷率和基于所述第二关系估计出的第二缺陷率的平均值、最大值或最小值作为所述缺陷率。

6.根据权利要求1所述的分析装置，该分析装置还包括输出单元，该输出单元在所述确定单元确定所述外层膜中出现了缺陷时输出表示在所述传感器部中出现了缺陷的信号。

7.根据权利要求1所述的分析装置，其中，在施加所述第一电压和所述第二电压这两者时，所述电压施加单元交替地施加所述第一电压和所述第二电压。

8.根据权利要求1所述的分析装置，其中，所述电流测量单元连续测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流，并且所述确定单元按预定定时确定所述外层膜中是否存在缺陷。

9.根据权利要求1所述的分析装置，其中，在使用所述分析装置的期间，所述传感器部被设置在所述分析装置的用户的皮肤下，并且所述试剂层与存在于所述皮肤下的待检成分反应。

10.根据权利要求1所述的分析装置，其中，所述试剂层从所述待检成分提取电子，并将所提取的电子提供给所述电极。

11.根据权利要求1所述的分析装置，其中，所述试剂层包括用于从所述待检成分提取电子的酶部分。