[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管，简称AMOLED)面板，被称为下一代显示技术，相比传统的TFT-LCD面板，具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。

氧化物半导体铟镓锌氧(InGaZnO4:IGZO)因其迁移率高、均匀性好和可在室温下制备等特点而被广泛地进行研究，以期能够替代低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，简称LTPS)作为阵列基板的有源层而实现大尺寸AMOLED面板的产业化。

然而，在现有技术当中，无论是TFT-LCD显示器，还是AMOLED面板，IGZO半导体作为阵列基板的有源层沟道材料，通常只单一利用其耗尽型或增强型的特性，这使得阵列基板的结构(例如时序控制电路、静电防治电路等)较为复杂，稳定性较差，并且，也会进而影响到阵列基板的有效像素面积。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制造方法，用以解决现有技术中IGZO半导体作为阵列基板的有源层沟道材料，只能单一利用其耗尽型或增强型的特性，阵列基板的结构较为复杂，稳定性较差，有效像素面积不能够进一步增加的技术问题。

本发明阵列基板，包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。

其中，第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层材质包括氧化物半导体。

优选的，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。

可选的，所述阵列基板为顶栅型或底栅型。

可选的，所述阵列基板应用于TFT-LCD面板或AMOLED面板。

本发明阵列基板的制造方法，包括：

在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。

所述在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：

A、形成材质包括氧化物半导体的有源层图形；

B、对形成有源层图形的基板进行掩模，调整基板设定位置的有源层的氧含量，形成具有较高氧含量的第一薄膜晶体管的有源层和具有较低氧含量的第二薄膜晶体管的有源层。

优选的，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。

所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括气体氛围处理，所述气体氛围处理所采用的气体包括还原性气体或氧化性气体，处理方式包括热退火或等离子体轰击。

所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括液体氛围处理，所述液体氛围处理所采用的液体包括还原性液体或氧化性液体，处理方式包括化学反应或元素扩散。

所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括固体氛围处理，所述固体氛围处理所采用的固体包括还原性固体或氧化性固体，处理方式包括化学反应或元素扩散。

在本发明技术方案中，由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，将这两种类型的薄膜晶体管分别设计于阵列基板的设定位置，发挥其功能特性，对比于现有技术阵列基板的单一耗尽型薄膜晶体管或单一增强型薄膜晶体管，可减少薄膜晶体管设置数量，简化电路走线，使整个阵列基板的结构大为简化，结构稳定性大大提高，阵列基板有效像素面积也得以进一步增加。

附图说明

图1为本发明阵列基板结构示意图；

图2为本发明制造方法流程示意图；

图3为本发明阵列基板一实施例结构示意图；

图4为图3所示的阵列基板的制造过程示意图；

图5为阵列基板上不同氧含量的薄膜晶体管的转移特性曲线图。

附图标记：

10-衬底板           11-栅极             12-栅极绝缘层

13a-高氧含量有源层  13b-低氧含量有源层  14-刻蚀阻挡层