[发明专利]形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法

权利要求书

1.一种形成一装置的方法，包含：

于一下电极的一部分上形成一牺牲材料的一基座；

形成相邻于该牺牲材料的至少一介电材料，该至少一介电材料具有与该牺牲材料的该基座的上表面共面的一上表面；

对该至少一介电材料以及该下电极具选择性地移除该牺牲材料的该基座以对该下电极的一露出表面提供一开口；

于该下电极的该露出表面上沉积一相变材料；以及

以一导电填充材料填充该开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该下电极是由氮化硅组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成该牺牲材料的该基座包含：在该下电极上沉积由非晶硅组成的该牺牲材料，以及刻蚀该牺牲材料的一部分形成该牺牲材料的该基座，其中该牺牲材料的剩余部分出现于该下电极的上表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中相邻于该牺牲材料的该基座的该至少一介电材料的形成包含：

于该牺牲材料的该基座上形成一共形层；

于该共形层上形成一层间介电层；以及

平坦化以移除该层间介电层以及覆盖该牺牲材料的该基座的共形层的一部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中于该牺牲材料的该基座上的共形层的形成包含：沉积由一氮化物组成的该共形层于该基座的该上表面、该基座的侧壁以及相邻于该基座的该下电极的露出部分。

6.根据权利要求4所述的方法，其中在该共形层上的该层间介电层的形成包含沉积一氧化物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该牺牲材料的该基座的移除包含一选择性刻蚀，其对该下电极以及该至少一介电材料具选择性地移除该牺牲材料的该基座。

8.根据权利要求1所述的方法，其中于该下电极的该露出表面上的该相变材料的沉积包含：经由物理气相沉积而沉积的一含钽材料，其中该相变材料亦形成于该至少一介电材料的上表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中以该导电填充材料填充该开口包含：

沉积一旋涂玻璃或一光刻胶材料以填充该开口；

平坦化以移除出现于该至少一介电材料的该上表面的该相变材料；

移除填充该开口的该牺牲填充材料；

将一势垒层沉积于该开口内；

将该导电填充材料沉积于至少该开口内；以及

将该导电填充材料平坦化，其中该导电填充材料的该上表面与该至少一介电材料的该上表面共面。

10.根据权利要求4所述的方法，进一步包含：在以该导电填充材料填充该开口之后对该共形介电层具选择性地移除该层间介电层以提供气隙，以及沉积密封介于相邻导电填充材料部分的该气隙的一桥接介电材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中该装置为一相变存储元件。

12.根据权利要求1所述的方法，其中该导电填充材料提供对准该相变材料的一位线。

13.一种形成一装置的方法，其包含：

提供穿过一材料叠层至一下电极的一开口；

将一相变材料沉积于该下电极的一露出表面上；

于出现于该开口内的该相变材料上形成一上电极，其中提供该上电极的导电材料亦形成以覆盖于该材料叠层的一上表面；

以一刻蚀停止材料填充该开口；

刻蚀出现于该材料叠层的上表面上的该导电材料，其中出现于该开口内的上电极由该刻蚀停止材料所保护；

以对该上电极以及该材料叠层具选择性地的一刻蚀移除该刻蚀停止材料；以及

形成与该上电极电性沟通的一通孔。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该材料叠层包含覆盖一层间介电层的一平坦化停止层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中该相变材料的至少部分被沉积于该平坦化停止层。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包含：平坦化以移除出现于该材料叠层的该上表面的该相变材料的部分而停止于该平坦化停止层。

17.根据权利要求13所述的方法，其中与该上电极电性沟通的该通孔的形成包含沉积填充至少该开口的一介电填充物；刻蚀该介电填充物以露出该上电极，以及形成直接与该上电极接触的一导电材料。

18.根据权利要求17所述的方法，其中该装置为一相变存储元件。