[发明专利]发光器件及背光单元有效

专利信息
申请号: 201210022699.2 申请日: 2012-01-20
公开(公告)号: CN102623602B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 罗珉圭;金省均;金明洙 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;G02F1/13357
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 姜燕,邢雪红
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 背光 单元
【权利要求书】:

1.一种发光器件,包括:

透光衬底;

发光结构,设置在所述透光衬底上,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;

导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;

第一电极部,设置在所述导电层上,该第一电极部具有至少一预定区域,该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;以及

第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:

第二电极部,设置在所述导电层上。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极部包括:

第一焊盘部,设置在所述第一绝缘层上;

第一延伸部,设置在所述第一绝缘层上,从所述第一焊盘部延伸出去;

至少一个第一接触电极,连接到所述第一延伸部,穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。

4.一种发光器件,包括:

衬底;

发光结构,设置在所述衬底上,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;

导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;

第一电极部,设置在所述导电层上,该第一电极部具有至少一预定区域,该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;

第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间;

第二电极部,设置在所述导电层上;以及

第二绝缘层,设置在所述导电层与所述第二电极部之间,

其中所述第二电极部的至少一预定区域穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一电极部包括:

第一焊盘部,设置在所述第一绝缘层上;

第一延伸部,设置在所述第一绝缘层上,从所述第一焊盘部延伸出去;以及

至少一个第一接触电极,连接到所述第一延伸部,穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。

6.根据权利要求5所述的发光器件,其中所述第二电极部包括:

第二焊盘部,设置在所述第二绝缘层上;

第二延伸部,设置在所述第二绝缘层上,从所述第二焊盘部延伸出去;以及

至少一个第二接触电极,连接到所述第二延伸部,穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。

7.根据权利要求3或5所述的发光器件,其中设置有多个第一接触电极,并且所述多个第一接触电极彼此间隔开。

8.根据权利要求6所述的发光器件,其中每两个相邻的所述第一接触电极之间的距离相同。

9.根据权利要求6所述的发光器件,其中两个相邻的所述第一接触电极之间的距离随着相距所述第一焊盘部越远而增大。

10.根据权利要求6所述的发光器件,其中设置有多个第二接触电极并且所述多个第二接触电极彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的发光器件,其中每两个相邻的所述第二接触电极之间的距离相同。

12.根据权利要求10所述的发光器件,其中两个相邻的所述第二接触电极之间的距离随着相距所述第二焊盘部越远而增大。

13.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第一接触电极排列在两个相邻的所述第二接触电极之间。

14.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第一接触电极的中心排列在两个相邻的所述第二接触电极之间的中间点处。

15.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第二延伸部包括分别从所述第二焊盘部沿不同方向延伸出去的第一分支指状电极和第二分支指状电极,并且连接到所述第一分支指状电极的所述第二接触电极和连接到所述第二分支指状电极的所述第二接触电极对称设置。

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