[发明专利]一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法无效
申请号: | 201210022555.7 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN103247551A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 吕永铭 | 申请(专利权)人: | 上海科秉电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人: | 倪继祖 |
地址: | 201709 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 制程中钟罩 零件 粗糙 再生 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法。
背景技术
钟罩零件(英文为Bell jar,以下均称为钟罩零件)的外形为一碗型造型,具有碗型内腔,该碗型内腔的内壁为粗糙设计,其功能是捉取、附着半导体制程中所产生的不纯物质,避免不纯物质影响生产设备稳定度,由此,钟罩零件会在半导体制程中产生消耗。
钟罩零件在使用后需进行洗净后方可再次使用,在洗净的同时,还会针对内壁粗糙度进行控制,目前采用喷砂方法进行内壁的粗糙度再生。
由喷砂是利用气压带动砂材,以撞击切削的方式产生粗糙度,而钟罩零件由石英制成,以喷砂进行粗糙度再生的过程中,同样会对钟罩零件产生消耗。同时,喷砂砂材的行径是直线性的,需以手持喷砂头来回对钟罩零件进行喷砂,手持喷砂头的行径路线无法如机械般精准,就必然会产生部分区域喷砂较多,部分区域喷砂较少的疏密不均的状况产生,整体粗糙度的均一性自然较不易控制。
由于钟罩零件在会因为半导体制程与粗糙度再生产生消耗,所以使用到一定的次数后,其厚度会逐渐变小,将会逐渐影响生产设备的稳定度,使晶圆在制造过程中造成不良,影响产品质量。当钟罩零件消耗达到报废的程度,必须进行更换。
众所皆知的,半导体生产设备相关的零部件皆为国外进口,国内本身并无制造能力,相对的,相关零部件的采购成本自然就高,又因为是国外进口所以采购时程又长,当需要大量采购时,庞大的金钱与时间的成本,都是沉重的负担。
因此,如何在粗糙度再生过程中不对钟罩零件产生消耗一直是本领域技术人员致力于解决的问题之一。
发明内容
本发明的目的,就是针对上述问题而提供一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法,该粗糙度再生方法不会对钟罩零件产生消耗,大大延长了产品的使用寿命。
本发明为达目的所采用的技术方案是:
本发明的一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法,该钟罩零件为碗型结构且具有碗型内腔,包括以下步骤:
将酸性溶液放入所述钟罩零件的碗型内腔中对其内壁进行浸泡,且该酸性溶液的液面高度为至所述钟罩零件的碗口处,浸泡时间为6小时。
上述的一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法中,所述酸性溶液为氢氟酸。
本发明粗糙度再生方法与现有方法比较,具有以下优点:
1.由喷砂是利用气压带动砂材,以撞击切削的方式产生粗糙度,对钟罩零件的消耗较大,采用酸液浸泡可有效降低钟罩零件因洗净所衍生的消耗。
2.喷砂砂材的行径呈直线性,需以手持喷砂头来回对钟罩零件进行喷砂,手持喷砂头的行径路线无法如机械般精准,就必然会产生部分区域喷砂较多,部分区域喷砂较少的疏密不均的状况产生,整体粗糙度的均一性自然较不易控制;以酸液进行粗糙度再生可有效避免均一性不佳的问题,理由是在于酸液是同时且全面性的蚀刻,自然能够均匀的对钟罩零件的每个部份进行粗糙度制造,表面粗糙度均一性表现优于喷砂,并且对母材的伤害较小。
3.操作容易,由于酸液的蚀刻的效率可以利用计算的方式得出,可以更精确的控制粗糙度的增减。
4.操作容易简单容易上手,要利用喷砂制造均一性佳的粗糙度,作业人员必需经过一定时间的训练与经验的累积才可达成,相对的酸液蚀刻仅需要使用正确的制程参数,作业人员即可进行操作,可有效缩短作业人员训练时间。
5.洗净对钟罩零件的消耗降低,可以有效的延长使用寿命,大幅降低对于新品采购的成本。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述:
本发明用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法,该钟罩零件为碗型结构且具有碗型内腔,包括以下步骤:
将氢氟酸放入所述钟罩零件的碗型内腔中对其内壁进行浸泡,且氢氟酸的液面高度为至所述钟罩零件的碗口处,浸泡时间为6小时。
其中第六个小时的蚀刻率效率达到最高,为1.09um/小时。
以上实施例仅供说明本发明之用,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴,应由各权利要求所限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造