[发明专利]邻接沟道侧壁的三维存储阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

一导线，具有一第一侧面及一第二侧面；

多个层，该多个层各由布置于邻接该导线的该第一侧面与该第二侧面的多个导电垫所构成，该多个导电垫各具有一邻近侧面，该多个邻近侧面是邻近于该多个导电垫对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个；

多个金属氧化物存储元件，位于该多个邻近侧面上，并与该多个导电垫对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个有电性交流；以及

一垂直连接件阵列，由多个垂直连接件所构成，该多个垂直连接件是分别与该多个导电垫以及一上方电路有电性交流。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该多个导电垫中的至少二个是叠层而使至少一第一导电垫被布置于一第二导电垫之上，且该第一导电垫的一远离侧面被布置于较该第二导电垫的一远离侧面接近该导线处，该第一导电垫的该远离侧面与该第二导电垫的该远离侧面是与对应的该多个垂直连接件有电性交流。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该多个导电垫各包含位于该多个金属氧化物存储元件的其中一个与该多个垂直连接件的其中一个之间的一金属层，该金属层具有该邻近侧面。

4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中该金属层的一氧化部分是一电阻性金属氧化物存储元件，使得该电阻性金属氧化物存储元件是沿着该多个导电垫的该多个金属层的邻近侧面布置。

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中该多个导电垫更包含多个势垒金属层，该金属层被布置于该多个势垒金属层的至少二者之间。

6.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中该多个导电垫更包含多个场增强结构，该多个金属氧化物存储元件各包含邻近于所对应的一沟道的一第一侧壁与一第二侧壁的其中一个的一邻近端，该多个场增强结构是邻接该多个邻近端。

7.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中一氧化物成长势垒层被布置于该多个金属氧化物存储元件的至少一者以及该至少一金属氧化物存储元件所对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个之间。

8.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中一驱动装置层被布置于该多个金属氧化物存储元件的至少一者以及该至少一金属氧化物存储元件所对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个之间。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该上方电路包含耦接至该垂直连接件阵列的多条字线。

10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中该导线为位线。

11.一种制造权利要求1至10中任一项所述装置的方法，包括：

一层形成步骤，是形成多个由多导电垫所构成的层，该多个导电垫是邻接于一沟道的一第一侧壁与一第二侧壁，该多个导电垫并各具有邻近侧面，该多个邻近侧面是邻近于该多个导电垫所对应的该第一侧壁与该第二侧壁的其中一个；

一金属氧化物存储元件形成步骤，是形成多个金属氧化物存储元件于该多个邻近侧面上；

一导线形成步骤，是形成一导线于该沟道内，使得该导线与该多个金属氧化物存储元件有电性交流；以及

一垂直连接件阵列形成步骤，是形成一垂直连接件阵列，该垂直连接件阵列是与该多个导电垫各者有电性交流。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该层形成步骤更包括沉积多导电垫层，该多个导电垫层各包含位于一第一势垒金属层与一第二势垒金属层间的一第一金属层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该金属氧化物存储元件形成步骤包含氧化该金属层的一部分，以形成至少一电阻性金属氧化物存储元件。

14.根据权利要求11所述的方法，更包含：

形成多个场增强结构，该多个场增强结构是邻接于多个邻近端，该多个邻近端是该多个金属氧化物存储元件邻近于所对应的该沟道的该第一侧壁与该第二侧壁的其中一个处。

15.根据权利要求11所述的方法，更包含：

在该金属氧化物存储元件形成步骤前，沿着该沟道的该第一侧壁与该第二侧壁形成一氧化物成长势垒层。

16.根据权利要求11所述的方法，更包含：

沿着该沟道的该第一侧壁与该第二侧壁形成一驱动装置层。