[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

栅结构，所述栅结构包括在衬底之上与控制栅层交替地层叠的第一绝缘层，其中，所述栅结构沿着第一方向延伸；

沟道线，所述沟道线每个都沿着不同于所述第一方向的第二方向在所述栅结构之上延伸；

存储层，所述存储层形成在所述栅结构与所述沟道线之间，并被设置成通过将所述栅结构与所述沟道线电绝缘来俘获电荷；

位线接触，所述位线接触形成行并与所述沟道线的顶表面接触，每行沿着所述第一方向延伸；

源极线，所述源极线每个都沿着所述第一方向延伸并与所述沟道线的顶表面接触，其中，所述源极线与所述位线接触的行交替；以及

位线，所述位线每个都形成在所述位线接触之上并且沿着所述第二方向延伸。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述控制栅层包括第一类型的多晶硅，所述第一绝缘层包括氧化物层。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道线包括掺杂了第一类型杂质或者第二类型杂质的多晶硅层。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道线由膜形成以具有一致的沟道宽度。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述存储层包括电荷阻挡层、电荷俘获层以及隧道绝缘层的叠层。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述电荷阻挡层包括氧化物层，所述电荷俘获层包括氮化物层，所述隧道绝缘层包括氧化物层。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述源极线包括金属。

8.一种非易失性存储器件，包括：

栅结构对，所述栅结构对包括在衬底之上与控制栅层交替地层叠的第一绝缘层，所述栅结构对中的每个栅结构沿第一方向延伸；

第二绝缘层，所述第二绝缘层被设置在所述栅结构对之间；

沟道线，所述沟道线每个都沿着所述栅结构对和所述第二绝缘层在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；

存储层，所述存储层被设置在由所述栅结构对和所述第二绝缘层构成的整体与所述沟道线之间，以通过将所述栅结构和所述沟道线电绝缘来俘获电荷；

位线接触，所述位线接触形成行并与所述沟道线的顶表面接触，每行沿着所述第一方向延伸；

源极线，所述源极线每个都沿着所述第一方向延伸并与所述沟道线的顶表面接触，其中，所述源极线与所述位线接触的行交替；以及

位线，所述位线被形成在所述位线接触之上，且所述位线每个都沿着所述第二方向延伸。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，所述存储层包括电荷阻挡层、电荷俘获层以及隧道绝缘层的叠层。

10.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，所述源极线包括金属。

11.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上交替地层叠第一绝缘层与控制栅层；

通过选择性地刻蚀所述第一绝缘层和所述控制栅层来形成多个栅结构，所述多个栅结构每个都沿着第一方向延伸；

沿着所述栅结构形成存储层；

在所述存储层之上形成沟道层；

通过选择性地刻蚀所述沟道层来形成沟道线，所述沟道线每个都沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸；

形成源极线，所述源极线每个都沿着所述第一方向延伸并与所述沟道线的顶表面接触；

形成成行的位线接触，每行沿着所述第一方向延伸，其中，所述位线接触的行与所述沟道线的顶表面接触并与所述源极线交替；以及

在所述位线接触之上形成位线，所述位线每个都沿着所述第二方向延伸。

12.如权利要求11所述的方法，其中，通过顺序地层叠电荷阻挡层、电荷俘获层和隧道绝缘层来形成所述存储层。

13.如权利要求11所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述沟道层或所述沟道线之后，对所述沟道线执行离子注入。

14.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述源极线的步骤包括以下步骤：

形成第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖形成有所述沟道线的衬底结构；

通过选择性地刻蚀所述第三绝缘层来形成暴露所述沟道线的顶表面的沟槽；以及

用金属性材料填充所述沟槽。