[发明专利]返驰变压器电路无效
申请号: | 201210022099.6 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102545634A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 彭国成;江俊明 | 申请(专利权)人: | 苏州佳世达光电有限公司;佳世达科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压器 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种返驰变压器,特别是涉及一种具有降低EMI功能的返驰变压器。
背景技术
一般的显示装置例如是投影机或液晶屏显示器等,通常会于电源电路中使用返驰变压器(Flyback Transformer)转换电压,图1是习知的返驰变压器的电路图,返驰变压器电路包括:脉冲宽度调制控制器(PWM controller)100、一次侧电路200、变压器T1与二次侧电路300。电源V+用来提供能量,一次侧电路200由脉冲宽度调制控制器100来控制开关Q1的导通或开路,当Q1导通时,能量将会储存于变压器T1的A-B之间,变压器T1减极性,此时变压器T1的二次侧与整流滤波反相,没有能量转移到二次侧电路300,当Q1开路时,T1的A-B之间改变极性,能量转移到二次侧电路300,经整流滤波后供电给负载R1与R2。
由于变压器T1有漏感的缺点,会有反馈的峰值电压(Spike voltage)在能量转移时堆迭在控制开关Q1的汲极(D)与源极(S)之间,一般要改善此现象会在电路上另外加上电阻R3、电容C4与二极管D3来降低此反馈电压,但因二极管本身原具有逆向恢复时间TRR(REVERSE RECOVERY TIME)的限制,新增加的二极管D3无法立即切换开关,此二极管的TRR会导致短路电流使得电子装置的EMI升高,难以降低。
本发明是为解决上述问题,提供一个简易的电路设计,使得上述EMI的缺失得以改善。
发明内容
为解决现有技术返驰变压器中,因二极管的逆向恢复时间TRR(REVERSE RECOVERY TIME)的限制,导致短路电流的EMI升高的缺失,本发明提供的电路可以改善此问题,本发明的目的是提供一种电子装置,包括脉冲宽度调制控制器、变压器、一次侧电路与二次侧电路分别耦接变压器的一次侧与二次侧;一次侧电路包括:电压源、第一开关、第二开关与硅控整流器(SCR),该硅控整流器具有第一端、第二端与第三端,该第一端耦接该第一开关与该变压器的一次侧的一端,该第二端耦接该第二开关,该第三端耦接该变压器的一次侧的另一端,该电压源和该硅控整流器的第三端分别耦接于一并联的RC电路两端,一次侧电路还包括偏压电路耦接该硅控整流器的第二端与该第二开关。
当该脉冲宽度调制控制器控制该第一开关与该第二开关导通时,逆向电压使得硅控整流器开路,此时电压源提供能量储存于变压器,当脉冲宽度调制控制器控制第一开关与第二开关开路时,正向电压使得硅控整流器导通,变压器释放能量至二次侧电路。
当该脉冲宽度调制控制器控制该第一开关与该第二开关导通时,该硅控整流器为开路且电压源、变压器与第一开关形成一通路,而当该脉冲宽度调制控制器控制该第一开关与该第二开关开路时,该硅控整流器为导通,且电压源、变压器与硅控整流器形成一回路。
该脉冲宽度调制控制器提供一方波信号,当该信号处于高电位时使该第一开关与该第二开关导通,当该信号处于低电位时该第一开关与该第二开关开路,该第一开关与该第二开关是MOS开关或是BJT开关或是其他可由电压高低变化控制的电子开关。
本发明的用途在于,当该第二开关导通时,该硅控整流器为关闭状态,消除了因二极管的逆向恢复时间TRR而导致短路电流流入第一开关使得峰值电流过大而影响到EMI或是零件寿命的问题。
附图说明
图1为现有技术的返驰变压器的电路图;
图2为本发明的返驰变压器的电路图;
图3为电压时序图;。
具体实施方式
请参考图2,本发明的目的是提供一种电子装置内的返驰变压器的电路,电路包括脉冲宽度调制控制器100、变压器T1、一次侧电路400与二次侧电路500分别耦接于变压器的一次侧与二次侧;一次侧电路400包括:电压源B+、第一开关S1、第二开关S2与硅控整流器D4(SCR),该硅控整流器D4具有第一端P1、第二端P2与第三端P3,该第一端P1耦接第一开关S1与变压器T1的一次侧的端点B,该第二端P2耦接第二开关S2,该第三端P3耦接一并联的RC电路,该RC电路连接变压器的一次侧的另一端A与电压源B+,RC电路包括电阻R3与电容C4,一次侧电路400还包括偏压电路(电压源V+耦接电阻R6)耦接该硅控整流器D4的第二端P2与第二开关S2。
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