[发明专利]半导体晶片的多区域温度控制

权利要求书

1.一种方法，包括：

对由滚筒或静电盘支撑的半导体晶片上执行离子注入工艺；以及

将第一和第二不同的冷却剂流体提供到位于所述滚筒或静电盘中或者与所述滚筒或静电盘邻近的对应第一和第二流体管道中，所述第一和第二流体管道对应所述滚筒或静电盘的第一和第二区域，从而在所述离子注入工艺中对邻近所述滚筒或静电盘的第一和第二区域的所述晶片的第一和第二部分的对应晶片温度进行独立控制。

2.如权利要求1所述的方法，所述提供步骤包括对应地提供来自对应不同的冷却或冷冻单元的选自由液体氢、液体氦、液体氮、液体氧、液体甲烷以及液体一氧化二氮组成的组的不同的冷却剂。

3.如权利要求1所述的方法，还进一步包括对以对应不同的温度向所述第一和第二区域的所述第一和第二冷却剂的供应进行独立控制，以在整个晶片上维持大体上均匀的晶片温度。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用位于所述滚筒或静电盘上或者内部的多个传感器采集温度反馈数据；以及

使用所述温度反馈数据来控制每个区域的温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，提供第一和第二不同的冷却剂流体的步骤包括：

以对应的基本恒定的供应温度在每个区域中供应所述冷却剂流体；以及

改变每个区域中的冷却剂流体的体积流动速度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，提供第一和第二不同的冷却剂流体的步骤包括：

以对应的基本恒定的供应温度在每个区域中供应所述冷却剂流体；以及

改变每个区域中的冷却剂流体的工作周期。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括改变供应到所述区域中的至少一个区域的至少一种冷却剂流体的温度。

8.一种方法，包括：

对由滚筒或静电盘支撑的半导体晶片上执行离子注入工艺；以及

在对应不同的冷却或冷冻单元中冷却第一和第二冷却剂；

将第一和第二不同的冷却剂流体提供到位于所述滚筒或静电盘中或者与所述滚筒或静电盘邻近的对应第一和第二流体管道中，所述第一和第二流体管道对应所述滚筒或静电盘的第一和第二同心环区域，其中，所述提供步骤包括对应地提供来自对应不同的冷却或冷冻单元的选自由液体氢、液体氦、液体氮、液体氧、液体甲烷以及液体一氧化二氮组成的组的不同的冷却剂，以在整个晶片上维持大体上均匀的晶片温度；以及

在所述离子注入工艺中对邻近所述滚筒或静电盘的第一和第二区域的所述晶片的第一和第二部分的对应晶片温度进行独立控制，从而在所述晶片上形成无定形区域，包括：

使用位于所述滚筒或静电盘上或者内部的多个传感器采集温度反馈数据；以及

使用所述温度反馈数据来控制每个区域的温度；以及

在所述离子注入后对所述晶片进行退火。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一和第二环区均分成多个环区，所述方法进一步包括在多个环区中独立地控制所述温度。

10.如权利要求8所述的方法，其中，提供第一和第二不同的冷却剂流体的步骤包括：

以对应的基本恒定的供应温度在每个区域中供应所述冷却剂流体；以及

改变每个区域中的冷却剂流体的体积流动速度或冷却剂流体的工作周期。