[发明专利]光子晶体边耦合双通道光波导传输系统

权利要求书

1.光子晶体边耦合双通道光波导传输系统，该系统包括波导层、低折射率埋层(7)和衬底层(8)，波导层位于低折射率埋层(7)上部，低折射率埋层(7)下部与衬底层(8)相连；其特征是，所述波导层包括波导一区(1)、缺陷区和波导二区(2)，所述波导一区(1)由多个介质柱(9)周期性排列组成，波导一区(1)与波导二区(2)的衔接处分布一行缺陷介质柱(10)，该行缺陷介质柱构成缺陷区，所述波导二区最外面分布一行耦合介质柱(12)，该行耦合介质柱构成耦合区(3)，并且波导二区(2)中包含多个沿平行于缺陷区(10)方向排列的点缺陷(6)，每个点缺陷(6)与周围的介质柱(9)以及最外面的耦合介质柱(12)构成光子晶体谐振腔(4)；多个光子晶体谐振腔(4)关联，每个光子晶体谐振腔(4)中的点缺陷(6)上部对应位置处依次分布有第二耦合介质柱(13)和第一耦合介质柱(11)。

2.根据权利要求1所述的光子晶体边耦合双通道光波导传输系统，其特征在于，所述波导一区1的多个介质柱(9)的半径为r。

3.根据权利要求1所述的光子晶体边耦合双通道光波导传输系统，其特征在于，所述耦合区介质柱(12)的半径r₄大于或小于介质柱(9)的半径r。

4.根据权利要求1所述的光子晶体边耦合双通道光波导传输系统，其特征在于，所述点缺陷(6)由半径为r₁的介质柱(5)构成，缺陷区由半径为r₅的介质柱构成；r₁与r₅的值相同。

5.根据权利要求1所述的光子晶体边耦合双通道光波导传输系统，其特征在于，所述点缺陷(6)为在光子晶体中改变一个或多个介质柱的半径形成的缺陷或者在光子晶体中去掉一个或多个介质柱形成的空隙。