[发明专利]温度传感器有效

专利信息
申请号: 201210021870.8 申请日: 2012-01-31
公开(公告)号: CN102589734A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 何琦;郎君 申请(专利权)人: 钜泉光电科技(上海)股份有限公司
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 温度传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及传感器领域,特别地,更涉及一种基于CMOS的温度传感器。

背景技术

在工农业生产监控、环境控制和科学研究等很多领域,温度是需要测量和控制的一个重要参数。因此,在各种传感器中,温度传感器是应用最广泛的一种,而其中的集成温度传感器主要由温度传感、基准电路、AD转换器、控制电路等构成,与传统温度传感器相比,具有灵敏度高、体积小、功耗低、输出特性好、可直接与数字系统连接等优点。

目前主要有两种方式实现集成温度传感器的温度检测。

图1显示了目前常用的一种温度传感器,该温度传感器具有如图1所示连接的双极晶体管,两个双极晶体管的基极(B极)和发射极(E极)之间分别产生与温度有关的BE结电压,VBE1和VBE2,两个BE结电压VBE1、VBE2经过增益系数为α的运算放大器得到一个与温度成线性关系的电压VPTAT,VPTAT电压与BE结电压VBE1经过加法器相加后,得到一个不随温度变化的基准电压VREF,将这与温度成线性关系的电压VPTAT和不随温度变化的基准电压VREF两个电压信号输入到模数转换器(ADC)中,实现温度的数字读取。

在如1所示的温度传感器中,ADC的输入分别是VPTAT和VREF。其中:

VPTAT=VBE2-VBE1

VREF=VBE1+VPTAT

图1所示的温度传感器结构简单、易于实现,但其检测精度不高,且需加载复杂电路。

图2显示了另一种温度传感器,该温度传感器的参考电压生成原理与图1所示的温度传感器相同,如图2所示的温度传感器通过第三个三极晶体管生成第三个与温度有关的BE结电压VBE3,模数转换器(ADC)的输入分别是VBE3和VREF,实现温度的数字读取。VBE3引起的曲率非线性的温度变化导致比较大的温度偏差,图4(a)为测试的传感器的温度输出误差曲线,图4(b)为校正曲线,图4(c)为校正补偿后的温度输出误差曲线。上述补偿算法可以通过软件或者数字逻辑实现。优点在于:结构简单,对偏置电流的误差、运放的输入失调电压较不敏感,通过补偿算法消除了VBE(包括基准电压VREF中的BE结和感测温度部分的BE结)二阶项所引起的温度非线性,提高了传感器的精度。但其缺点在于:需要测试出温度的误差曲线,需要使用单片机或者额外的数字电路才能实现补偿算法,无法消除或者减小双极晶体管工艺容差对温度精度的影响。

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