[发明专利]带有太阳能电池用复合膜的透明基板及其制造方法有效
申请号: | 201210021383.1 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102646726B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 山崎和彦;米泽岳洋;日向野怜子;泉礼子 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/20 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 太阳能电池 复合 透明 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种带有太阳能电池用复合膜的透明基板及其制造方法。更详细而言,涉及一种带有具有较高发电效率的太阳能电池用复合膜的透明基板及其制造方法。
背景技术
目前,从环保的立场,正在推进绿色能源的研究开发和实用化,从作为能源的太阳光取之不尽且为无公害等方面,太阳能电池备受瞩目。以往,太阳能电池一直利用单晶硅或多晶硅块状太阳能电池。
另一方面,利用非晶硅等的半导体的所谓薄膜半导体太阳能电池(以下称为薄膜太阳能电池)的结构为在玻璃或不锈钢等廉价的基板上仅形成需要量的光电转换层、即半导体层。因此,从薄型且轻量、制造成本低廉及容易大面积化等方面,可以认为薄膜太阳能电池将成为今后太阳能电池的主流。
太阳能电池中的膜形成一般通过溅射法、CVD法等真空成膜法进行。但是,要维持并运行大型真空成膜装置,需要较多成本,因此将膜形成替换成湿式成膜法,由此可期待运转成本的大幅改善。
作为基于湿式成膜法的太阳能电池用透明导电膜,公开有在玻璃基板的基体上涂布分散有导电氧化物超微颗粒的涂层液并使其固化的薄膜太阳能电池用透明导电膜的制造方法(专利文献1)。
然而,在上述制造方法中,以提高覆板(スーパーストレート)型太阳能电池的玻璃基板上的透明导电膜的雾度为目的,并没有对降低玻璃基板与透明电极膜的界面处的反射光这一点进行考虑。
在覆板型太阳能电池中,通常在折射率为约1.5的玻璃基板上形成折射率为约2.0的二氧化锡透明电极膜,并来自玻璃基板的入射光的一部分因玻璃基板与透明电极膜的折射率差而反射,到达至光电转换层的光量减少,太阳能电池的转换效率降低。
专利文献1:日本专利公开平10-12059号公报
发明内容
本发明的课题在于,在从透明基板侧入射太阳光的太阳能电池中,抑制由于入射到透明基板的光在透明基板与透明电极膜的界面反射而引起的太阳能电池的转换效率下降。
本发明涉及一种通过以下示出的结构解决上述课题的在透明基板与透明电极膜之间具有透明膜的带有太阳能电池用复合膜的透明基板及其制造方法、以及使用该带有复合膜的基板的太阳能电池。
[1]一种带有太阳能电池用复合膜的透明基板,其在透明基板与透明电极膜之间具有透明膜,透明膜含有透光性粘合剂,折射率为n1<n2<n3(式中,n1表示透明基板的折射率,n2表示透明膜的折射率,并且n3表示透明电极膜的折射率。)。
[2]如上述[1]所述的带有太阳能电池用复合膜的透明基板,其中,透明膜的折射率为1.5~1.9。
[3]如上述[1]或[2]所述的带有太阳能电池用复合膜的透明基板,其中,透明膜的厚度为0.01~0.5μm。
[4]如上述[1]~[3]中任一项所述的带有太阳能电池用复合膜的透明基板,其中,透明膜的透光性粘合剂包含通过加热来固化的聚合物型粘合剂和/或非聚合物型粘合剂。
[5]如上述[1]~[4]中任一项所述的带有太阳能电池用复合膜的透明基板,其中,透明膜进一步包含选自ITO、ZnO、ATO及TiO2中的至少1种氧化物颗粒。
[6]一种制造带有太阳能电池用复合膜的透明基板的方法,所述带有太阳能电池用复合膜的透明基板依次具有透明基板、透明膜及透明电极膜,该方法的特征在于,通过湿式涂布法在透明基板上涂布透明膜用组合物,形成透明涂膜之后,烧成或固化具有透明涂膜的透明基板来形成透明膜,进而在透明膜上形成透明电极膜。
[7]如上述[6]所述的制造带有太阳能电池用复合膜的透明基板的方法,其中,透明导电涂膜的烧成温度为130~250℃。
[8]如上述[6]或[7]所述的制造带有太阳能电池用复合膜的透明基板的方法,其中,透明膜用组合物的湿式涂布法为喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、铸模涂布法、网版印刷法、胶版印刷法或凹版印刷法。
[9]一种包括上述[1]~[5]中任一项所述的带有太阳能电池用复合膜的透明基板的太阳能电池。
根据本发明[1],能够抑制入射于透明基板的光在透明基板-透明电极膜界面处的反射,并能够简便地获得通过增加向光电转换层的入光量来提高发电效率的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的